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- 臺(tái)積電:3nm良率領(lǐng)先業(yè)界 很快比肩5nm
- 三星第二代3nm芯片又來了,已領(lǐng)先臺(tái)積電2代?
- 韓媒:三星二代3nm工藝比4nm快22%,節(jié)能34%
- 三星第一代 3nm 制程 SF3介紹:較4nm FinFET平臺(tái)實(shí)現(xiàn)22%頻率提升
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- 臺(tái)積電3nm下半年見,明年換用更強(qiáng)EUV光刻機(jī),年?duì)I收或十年首次下滑
- 分析師:設(shè)備和產(chǎn)量問題阻礙臺(tái)積電3nm量產(chǎn)
- 除了光刻機(jī),國產(chǎn)芯片設(shè)備基本達(dá)到28nm,少部分達(dá)到3nm