5 月 8 日消息，2023 國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)將于 6 月 11 日至 16 日在日本京都舉行。官方現(xiàn)提前透露了一些將會(huì)在此次頂會(huì)上揭曉的內(nèi)容。

除了技術(shù)演示外，VLSI 研討會(huì)還將包括演示會(huì)議、聯(lián)合焦點(diǎn)會(huì)議、晚間小組討論、短期課程、研討會(huì)和特別論壇。屆時(shí)還會(huì)有一些科技前沿的 CMOS 技術(shù)重點(diǎn)論文，例如“全球首個(gè)采用新型 MBCFET 技術(shù)的 GAA 3nm 工藝（SF3）”。

三星 3nm 技術(shù)之所以如此備受期待，是因?yàn)樗鼘?shí)現(xiàn)從 FinFET 到 Gate-All-Around 晶體管架構(gòu)的轉(zhuǎn)變。據(jù)稱，SF3 相較 4nm FinFET 平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了 22% 頻率提升、34% 能效改進(jìn)、21% 面積微縮（PPA） 。

三星 SF3 技術(shù)是業(yè)界首款量產(chǎn) GAA 工藝的升級(jí)版，采用多橋通道 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET）設(shè)計(jì)，可以為各種納米片寬度提供相當(dāng)不錯(cuò)的性能，在固定的標(biāo)準(zhǔn)單元高度下顯著提高了芯片級(jí)的功耗性能矩陣，從而超越 FinFET 平臺(tái)。

根據(jù)韓國(guó)媒體的說(shuō)法，三星 2023-2024 年將以 3nm 生產(chǎn)為主，即 SF3 (3GAP) 及其改進(jìn)版本 SF3P (3GAP+)，其生產(chǎn)良率初期可維持在 60-70% 的范圍內(nèi)，而且該公司還計(jì)劃于 2025-2026 年開(kāi)始推出其 2 納米級(jí)別節(jié)點(diǎn)。

在三星與臺(tái)積電都進(jìn)入 3nm 制程的時(shí)代之后，未來(lái) 3nm 制程將會(huì)成為晶圓代工市場(chǎng)的主流。因此，預(yù)計(jì)到 2025 年之際，3nm 制程市場(chǎng)的產(chǎn)值將會(huì)高達(dá) 255 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 1762.05 億元人民幣），超越 5nm 時(shí)預(yù)估的 193 億美元產(chǎn)值。

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市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) TrendForce 的數(shù)據(jù)顯示，2022 年第三季，在全球晶圓代工市場(chǎng)中，臺(tái)積電仍以 53.4% 市場(chǎng)份額穩(wěn)居第一，排名第二的三星市場(chǎng)份額僅 16.4%。所以，在市場(chǎng)激烈的競(jìng)爭(zhēng)下，也使得 3nm 制程將成為未來(lái)兩家公司主要競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。