5 月 8 日消息，2023 國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會將于 6 月 11 日至 16 日在日本京都舉行。官方現(xiàn)提前透露了一些將會在此次頂會上揭曉的內(nèi)容。

除了技術(shù)演示外，VLSI 研討會還將包括演示會議、聯(lián)合焦點會議、晚間小組討論、短期課程、研討會和特別論壇。屆時還會有一些科技前沿的 CMOS 技術(shù)重點論文，例如“全球首個采用新型 MBCFET 技術(shù)的 GAA 3nm 工藝（SF3）”。

三星 3nm 技術(shù)之所以如此備受期待，是因為它實現(xiàn)從 FinFET 到 Gate-All-Around 晶體管架構(gòu)的轉(zhuǎn)變。據(jù)稱，SF3 相較 4nm FinFET 平臺實現(xiàn)了 22% 頻率提升、34% 能效改進、21% 面積微縮（PPA） 。

三星 SF3 技術(shù)是業(yè)界首款量產(chǎn) GAA 工藝的升級版，采用多橋通道 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET）設(shè)計，可以為各種納米片寬度提供相當(dāng)不錯的性能，在固定的標(biāo)準(zhǔn)單元高度下顯著提高了芯片級的功耗性能矩陣，從而超越 FinFET 平臺。

根據(jù)韓國媒體的說法，三星 2023-2024 年將以 3nm 生產(chǎn)為主，即 SF3 (3GAP) 及其改進版本 SF3P (3GAP+)，其生產(chǎn)良率初期可維持在 60-70% 的范圍內(nèi)，而且該公司還計劃于 2025-2026 年開始推出其 2 納米級別節(jié)點。

在三星與臺積電都進入 3nm 制程的時代之后，未來 3nm 制程將會成為晶圓代工市場的主流。因此，預(yù)計到 2025 年之際，3nm 制程市場的產(chǎn)值將會高達(dá) 255 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 1762.05 億元人民幣），超越 5nm 時預(yù)估的 193 億美元產(chǎn)值。

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市場調(diào)查機構(gòu) TrendForce 的數(shù)據(jù)顯示，2022 年第三季，在全球晶圓代工市場中，臺積電仍以 53.4% 市場份額穩(wěn)居第一，排名第二的三星市場份額僅 16.4%。所以，在市場激烈的競爭下，也使得 3nm 制程將成為未來兩家公司主要競爭的關(guān)鍵。