消息稱三星將公布第二代3nm制程進度，性能較4nm提高22%。臺積電5月11日在技術(shù)論壇上表示，自家3nm制程（N3）將實現(xiàn)快速且順暢的產(chǎn)能提升，良率將比肩5nm技術(shù)。

據(jù)鉅亨網(wǎng)報道，臺積電先進技術(shù)暨光罩工程副總經(jīng)理張宗生表示，臺積電N3在量產(chǎn)階段，產(chǎn)能在手機和高性能計算應(yīng)用驅(qū)動下將迅速提升，良率將領(lǐng)先業(yè)界，很快就可以比肩5nm技術(shù)。

臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強表示，臺積電N3是全世界最領(lǐng)先的技術(shù)，N3家族中的N3E已通過技術(shù)驗證，達成性能與良率目標，并收到第一批客戶產(chǎn)品設(shè)計定案，將在下半年量產(chǎn)，在邁入量產(chǎn)的前三年，N3E新品設(shè)計定案數(shù)量將是5nm同時期的1.5至2倍。

張曉強補充表示，包括手機、高性能計算客戶都積極采用N3制程，踴躍程度勝過5nm制程同期，車用芯片客戶也期待推進3nm制程。臺積電應(yīng)業(yè)界需求推出首個基于3nm制程的Auto Early技術(shù)——N3AE，提供以N3E為基礎(chǔ)的汽車制程設(shè)計套件，將有助縮短客戶產(chǎn)品上市時間2-3年。

除先進制程，臺積電也持續(xù)提升特殊應(yīng)用制程產(chǎn)能。張宗生指出，2017年到2022年，臺積電對特殊制程技術(shù)投資的年復合成長率超過40%，到2026年，預計將特殊制程產(chǎn)能提升近50%。另外，臺積電也積極擴充3D Fabric先進封裝產(chǎn)能，預計至2025年無塵室面積將增為2021年的2倍以上。