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韓媒:三星二代3nm工藝比4nm快22%,節(jié)能34%

2023-05-10 來源:網(wǎng)絡(luò)整理
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關(guān)鍵詞: 三星 臺(tái)積電 芯片

據(jù)業(yè)界透露,三星在“2023國際VLSI研討會(huì)”的預(yù)備展示材料顯示,第二代3nm工藝的芯片比當(dāng)前4nm工藝快22%,節(jié)能34%,芯片尺寸減少21%。


據(jù)韓媒pulsenews報(bào)道,此次公布的新信息意義重大,因?yàn)檫@是三星首次將其未來的芯片制造工藝與最初的4nm工藝進(jìn)行比較。此前,該公司在將其性能與下一代技術(shù)進(jìn)行比較時(shí),以5nm工藝作為基準(zhǔn)。三星在去年6月首次生產(chǎn)第一代3nm工藝時(shí),聲稱與5nm工藝相比,芯片性能提高23%,芯片尺寸縮小16%。


該報(bào)道指出,業(yè)內(nèi)專家謹(jǐn)慎地評(píng)價(jià)三星的最新成就,認(rèn)為這是其技術(shù)能力的重大進(jìn)步,尤其是考慮到與臺(tái)積電的競(jìng)爭。


近日三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁兼負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun在韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)演講時(shí)也提到了與臺(tái)積電的競(jìng)爭,他表示,“三星的4nm技術(shù)落后臺(tái)積電兩年,而我們的3nm技術(shù)大約落后一年。但當(dāng)臺(tái)積電進(jìn)入2nm工藝時(shí),情況將發(fā)生變化??蛻魧?duì)GAA技術(shù)很滿意,幾乎所有的大公司都在與我們合作?!?/span>


與此同時(shí),Kyung Kye-hyun指出,三星也在努力提高其芯片封裝技術(shù),以保持領(lǐng)先于競(jìng)爭對(duì)手,“隨著半導(dǎo)體工藝小型化變得越來越困難,性能最終將通過封裝來提高?!彼a(bǔ)充說道。



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