據(jù)業(yè)界透露，三星在“2023國(guó)際VLSI研討會(huì)”的預(yù)備展示材料顯示，第二代3nm工藝的芯片比當(dāng)前4nm工藝快22%，節(jié)能34%，芯片尺寸減少21%。

據(jù)韓媒pulsenews報(bào)道，此次公布的新信息意義重大，因?yàn)檫@是三星首次將其未來的芯片制造工藝與最初的4nm工藝進(jìn)行比較。此前，該公司在將其性能與下一代技術(shù)進(jìn)行比較時(shí)，以5nm工藝作為基準(zhǔn)。三星在去年6月首次生產(chǎn)第一代3nm工藝時(shí)，聲稱與5nm工藝相比，芯片性能提高23%，芯片尺寸縮小16%。

該報(bào)道指出，業(yè)內(nèi)專家謹(jǐn)慎地評(píng)價(jià)三星的最新成就，認(rèn)為這是其技術(shù)能力的重大進(jìn)步，尤其是考慮到與臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)。

近日三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁兼負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun在韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）演講時(shí)也提到了與臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)，他表示，“三星的4nm技術(shù)落后臺(tái)積電兩年，而我們的3nm技術(shù)大約落后一年。但當(dāng)臺(tái)積電進(jìn)入2nm工藝時(shí)，情況將發(fā)生變化?？蛻魧?duì)GAA技術(shù)很滿意，幾乎所有的大公司都在與我們合作?！?/span>

與此同時(shí)，Kyung Kye-hyun指出，三星也在努力提高其芯片封裝技術(shù)，以保持領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，“隨著半導(dǎo)體工藝小型化變得越來越困難，性能最終將通過封裝來提高?！彼a(bǔ)充說道。