- 三星加購兩臺High NA EUV光刻機，增強2nm代工工藝
- 三星和韓國掩模制造商S&S Tech共同申請EUV薄膜專利
- 瞄準Intel 14A工藝，消息稱英特爾加購兩臺High NA EUV光刻機
- 俄羅斯公布EUV光刻機路線圖，采用“非主流”技術(shù)路徑
- 俄羅斯發(fā)布EUV光刻機路線圖：2036年實現(xiàn)10nm以下制程芯片制造
- 臺積電重磅調(diào)整：老舊8英寸晶圓廠轉(zhuǎn)產(chǎn)EUV掩模保護膜
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- SK海力士引進存儲器業(yè)界首臺量產(chǎn)型High NA EUV設(shè)備
- 【進展】新研究提出用光為量子自旋“護航”；中國科學院微電子研究所在EUV光刻收集鏡紅外輻射抑制方面取得新進展；中國科學院國家納米科學中心鄢勇團隊在基于離子型神經(jīng)形態(tài)器件構(gòu)筑智能味覺系統(tǒng)方面取得進展
- 英特爾：ASML首批兩臺High-NAEUV設(shè)備已投產(chǎn)
