據(jù)報道，韓國掩模制造商S&S Tech與三星已在韓國聯(lián)合申請了一項與極紫外（EUV）薄膜框架相關的專利。該專利的專利號為1020240030406，名稱為“用于在光刻中使用的光罩上安裝防護膜的框架組件”，該專利于去年3月提交，但具體細節(jié)直到最近才公布。

薄膜是一種超薄透明薄膜，用于在芯片生產(chǎn)過程中保護光掩膜。在光刻過程中，當在晶圓上繪制電路圖案時，防護膜可以防止顆粒和雜質(zhì)聚集在光罩表面。防護膜厚度僅為納米級，必須具有高透光率，并能耐受高溫和等離子體環(huán)境。

該專利描述了如何利用磁力框架組件將防護膜附著到光掩模上。磁力用于將螺柱附著到框架下方的光掩模和夾具上。這意味著防護膜將立即在光掩模上對準。根據(jù)專利，框架也易于拆卸和回收。粘合劑的最低使用量也意味著減少了排氣。

今年8月，S&S Tech表示正在投資新設施，以擴大EUV空白掩模和EUV防護膜的生產(chǎn)。

目前，三星的大部分EUV空白掩模都通過日本供應商Hoya生產(chǎn)的。通過與S&S Tech的合作，三星計劃在年內(nèi)實現(xiàn)部分EUV空白掩模生產(chǎn)的本地化。三星還在考慮將S&S Tech和FST作為EUV防護膜的供應商。三星已與FST于2024年共同注冊了EUV光罩粘合劑專利。（校對/李梅）