英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)
英飛凌科技股份公司推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比， 英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動了低碳化進(jìn)程。
