對于半導(dǎo)體制造來說，光刻機是極為關(guān)鍵的設(shè)備。數(shù)據(jù)顯示，在先進制程產(chǎn)線當中，光刻機的成本占比高達22%，同時也在所有制造工序所消耗的時間當中占據(jù)了20%。而全球光刻機大廠ASML獨家供應(yīng)的EUV光刻機，則是制造7nm以下先進制程的必備設(shè)備。

目前 ASML 已經(jīng)推出第三代 EUV光刻機，分別是 TWINSCAN NXE: 3400B、NXE: 3400C、NXE: 3600D，數(shù)值孔徑都為 0.33。理論第三代 EUV光刻機生產(chǎn)的芯片精度最多 2nm左右，一旦進入 2nm節(jié)點以下時，還需要更高精準度的光刻機，稱為 High NA（高數(shù)值孔徑）EUV 光刻機。

ASML下一代高精準度 EUV光刻機型號為 EXE: 5000，數(shù)值孔徑為 0.55，可用于2nm節(jié)點以下芯片制造，如 1.4nm（14埃米）、 1nm（10 埃米）等制程。

2020 年底有媒體報導(dǎo)，ASML 已基本研發(fā)完成了新一代高精準度 EUV 曝光設(shè)備，且正在試產(chǎn)，預(yù)計 2022 年就開始商用。日前比利時微電子研究中心（imec）也表示，ASML EXE: 5000 EUV 光刻機將在 2022~2023 年起供貨。不過，2nm以下先進制程節(jié)點芯片的量產(chǎn)至少要等到2025年之后。

據(jù) Imec在11月 ITF 大會先進制程節(jié)點演進狀況，2025 年開始推出 A14（A14＝1.4 奈米）制程節(jié)點、2027 年推出 A10（10＝1 奈米）制程節(jié)點、2029 年推出 A7（A7＝0.7 奈米）制程節(jié)點。

市場分析師也表示，ASML NXE: 5000 型號 0.55 高數(shù)值孔徑 EUV 曝光設(shè)備，預(yù)計每套售價高達 3 億美元，是 0.33 孔徑 EUV 光刻設(shè)備兩倍，對半導(dǎo)體制造廠是另一驚人資本支出高峰期，目前僅臺積電、三星、英特爾等三家廠商有能力持續(xù)研發(fā)先進制程，未來競爭高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機搶得先機，將是難以避免的戲碼。