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三星全力提升2納米良率至50%,力求追趕臺積電

2025-06-13 來源:全球半導體觀察
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關鍵詞: 三星 2納米GAA制程 良率 Exynos 2600 臺積電

此前有消息傳出,三星2納米GAA制程的良率僅30%,但隨著研發(fā)持續(xù)投入,三星有可能在先進制程技術競賽中超越臺積電。

韓媒《NewDaily》報道稱,三星系統(tǒng)LSI與晶圓代工兩大事業(yè)部正加快提升Exynos 2600性能與良率,以降低不必要的成本上升。雖然年初良率僅30%,但從上個月起已朝向50%目標邁進。如果要讓量產(chǎn)具有經(jīng)濟效益,三星需將良率提升至70%以上。

三星計劃明年2月發(fā)布Galaxy S26,而搭載的Exynos 2600原訂5月進入試產(chǎn)卻遇到挑戰(zhàn),但從韓媒報道的進度來看,該芯片目前已進入量產(chǎn)階段。據(jù)悉,三星可能在Galaxy S26系列正式發(fā)布前2~3個月開始Exynos 2600的實際量產(chǎn)。

三星在2025年第一季財報中強調(diào),穩(wěn)定2納米GAA制程的良率是目前首要任務,預期下半年展開全面量產(chǎn),以爭取更多下一代制程的主要客戶。另有傳聞指出,三星已成功與高通洽談,為Galaxy手機搭載的Snapdragon 8 Elite Gen 2進行2納米制程代工,但尚未獲得官方確認。

在完成Exynos 2600原型芯片的量產(chǎn)階段后,三星將進入風險量產(chǎn)(Risk Production)流程。若一切順利,正式生產(chǎn)將在Galaxy S26系列發(fā)布前的兩至三個月啟動。由于臺積電是4月1日起接受2納米晶圓訂單,從時間上看三星稍占先機,但能否搶下高價值客戶仍有待觀察。

責編:Momoz




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