- 2納米反攻戰(zhàn)！三星放話：今年要奪回代工王座 良率沖近七成
- 三星電子考慮解散1c DRAM良率專項(xiàng)小組 拼年內(nèi)量產(chǎn)HBM4
- 傳因良率問題，Intel 18A大規(guī)模量產(chǎn)將推遲至2026年一季度
- 傳英特爾18A芯片良率持續(xù)低迷，僅5%~10%
- 機(jī)構(gòu)：臺(tái)積電、英特爾、三星電子2nm代工節(jié)點(diǎn)良率分別約為65%、55%、40%
- 三星全力提升2納米良率至50%，力求追趕臺(tái)積電
- 消息稱三星 E2500 芯片良率不足 20%，尚不確定可否用于 S25 手機(jī)
- HBM太夯 原廠訂單看到1Q26 SK海力士良率、產(chǎn)能雙稱霸
- 三星欲借助第二代3nm爭奪英偉達(dá)代工訂單，但目前良率僅20%
- 碳化硅企業(yè)忙擴(kuò)產(chǎn)忙競爭，最有效的“手段”是產(chǎn)能與良率
