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SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4U6E3S4AM-GUCL 為下一代移動設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封裝
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SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3LK2K20BM-BGCN 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài) 速率5500Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.5V 溫度-25~+85 LPDDR5 496FBGA 封裝
SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3KL3L30CM-BGCT 優(yōu)質(zhì)低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量64Gb 速率7500Mbps 溫度-25~+85 496FBGA封裝
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SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3KL3L30CM-MGCT 優(yōu)質(zhì)低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量32Gb 速率7500Mbps 溫度-25~+85 315FBGA封裝
SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K3KL4L40DM-BGCT 優(yōu)質(zhì)低功耗DRAM LPDDR5X 快1.3倍的速度和高出20%的效能 容量96Gb 速率7500Mbps 溫度-25~+85 496FBGA封裝
