- 緊追 SK 海力士，三星電子將在今年推出 236 層 NAND 閃存
- 消息稱 SK 海力士正開發(fā)基于 238層NAND的UFS4.0 閃存
- TrendForce 預(yù)計(jì) NAND 閃存需求明年增長 28.9%，供給增長 32%
- SK 海力士介紹 238 層 4D NAND 閃存：傳輸速度提升 50%，能耗減少 21%
- SK 海力士開發(fā)出 238 層 NAND 閃存芯片，明年上半年量產(chǎn)
- 傳輸速度暴增50％：SK海力士宣布238層NND閃存！國產(chǎn)閃存迎頭趕上
- SK 海力士擬年內(nèi)試產(chǎn) 238 層 NAND 閃存
- SK海力士擬年內(nèi)試產(chǎn)238層NAND閃存
- 2022年全球NAND閃存市場現(xiàn)狀及應(yīng)用分布預(yù)測分析（圖）
- 2022年全球NAND閃存存儲容量及競爭格局預(yù)測分析（圖）
