2022年全球NAND閃存存儲容量及競爭格局預測分析（圖）
關鍵詞： 存儲器
中商情報網(wǎng)訊：Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。
存儲容量
隨著NAND Flash存儲原廠的產(chǎn)品生產(chǎn)工藝不斷更新發(fā)展，存儲晶圓工藝制程、電子單元密度、產(chǎn)品堆疊層數(shù)等經(jīng)歷了較大的技術更新，市場存儲密度的供給呈現(xiàn)出較快的增長速度。全球NAND Flash存儲容量一直保持增長，從2017年的1620億GB增長至2020年的5300億GB，年均復合增長率達35.38%，預計2022年將達6110億GB
數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
競爭格局
NAND Flash 全球市場高度集中，根據(jù) Omdia （IHS Markit）數(shù)據(jù)，2020 年全球 NAND Flash 市場規(guī)模為 571.95 億美元，由三星電子、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光科技、SK 海力士、英特爾六家公司主導。其中，三星電子全球市場份額約 34%，占比最多。鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光科技、SK 海力士、英特爾、長江存儲占比分別為19%、14%、11%、11%、9%、1%。SK 海力士收購英特爾 NAND Flash 業(yè)務已于 2021 年獲得主要市場監(jiān)管當局批準，全球 NAND Flash 市場將進一步集中。
數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
