據(jù)報道，三星電子正在加大對極紫外（EUV）光刻設備的投資，計劃為其存儲部門新增五套設備，同時為其晶圓代工部門新增兩套高數(shù)值孔徑（High NA）EUV設備。隨著DRAM和高帶寬存儲器（HBM）制造商競相擴大下一代產(chǎn)能，此舉將使三星在預期的存儲超級周期中占據(jù)優(yōu)勢。

據(jù)報道，三星計劃為其存儲業(yè)務部署五套新的EUV設備，打造專用生產(chǎn)線，旨在提高效率和工藝專注度。此項投資與其近期在晶圓代工業(yè)務中擴充High NA EUV設備規(guī)模的舉措相呼應，這一協(xié)同舉措凸顯了三星在存儲和邏輯制造領域的雙軌戰(zhàn)略。

業(yè)內人士指出，三星位于平澤的晶圓代工廠和存儲生產(chǎn)線此前曾共用EUV設備。新計劃賦予存儲部門五套專用系統(tǒng)的獨家使用權。同時，兩套High NA EUV設備將用于2nm生產(chǎn)，其中一套將部署在華城廠區(qū)，另一套則可能部署在得克薩斯州泰勒晶圓廠，具體取決于北美主要客戶的新訂單。

行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，一套標準EUV設備的成本約為3000億韓元（約合人民幣15億元），而一套High NA EUV設備的成本約為5500億韓元（約合人民幣28億元）。因此，三星在EUV方面的總支出約為2.6萬億韓元。這項大膽的投資彰顯了其緊跟SK海力士步伐的決心，后者也在2026年前提升EUV產(chǎn)能和DRAM產(chǎn)量。

三星最新的EUV擴張將增強傳統(tǒng)DRAM和尖端HBM的生產(chǎn)，而HBM是人工智能（AI）推動的半導體軍備競賽中的關鍵前沿。

據(jù)報道，三星投資約1.1萬億韓元購買ASML最新的High NA EUV光刻機——Twinscan EXE:5200B，其中一臺將于2025年底交付，另一臺將于2026年初交付。這將是三星在華城進行有限的研發(fā)部署后，首次將High NA EUV光刻機用于全面生產(chǎn)。

與傳統(tǒng)的EUV光刻機相比，下一代High NA EUV光刻機可提供1.7倍更精細的電路圖案和2.9倍更高的晶體管密度。憑借40%的光學精度提升，它們能夠生產(chǎn)出密度更高、更節(jié)能、性能更強大的芯片：這對于2nm代工工藝和先進的存儲制造至關重要。

據(jù)報道，三星積極采用High NA EUV光刻機，標志著其在兩年的克制之后，資本支出戰(zhàn)略發(fā)生了決定性轉變。三星搶在臺積電之前獲得這些工具，表明其對其制造實力重拾信心。臺積電計劃僅在其1.4nm節(jié)點上部署這些工具。英特爾和SK海力士也已引入High NA EUV技術，而三星在晶圓代工和存儲部門的部署，凸顯了其在邏輯和存儲創(chuàng)新方面意義深遠的協(xié)調努力。

預計三星將為2nm晶圓代工節(jié)點部署其High NA EUV光刻機，并可能服務于特斯拉價值22萬億韓元的AI6半導體項目等重要合同。在存儲領域，同樣的技術將支撐垂直通道晶體管（VCT）DRAM和第六代HBM4的開發(fā)。三星在HBM4 11Gbps數(shù)據(jù)速率方面處于領先地位。

10月14日，在圣何塞舉行的半導體會議上，三星公布了其下一代HBM4E的計劃，目標是實現(xiàn)每引腳13Gbps的數(shù)據(jù)速率。分析人士認為，該公司的綜合推動措施（涵蓋High NA EUV投資、獨立存儲生產(chǎn)線和HBM4E路線圖）明確表明三星正準備全力以赴，引領即將到來的存儲超級周期。