其中，美光HBM產(chǎn)品有望在2024會(huì)計(jì)年度創(chuàng)造數(shù)億美元營(yíng)業(yè)額，HBM營(yíng)收預(yù)料自2024會(huì)計(jì)年度第三季起為美光DRAM業(yè)務(wù)以及整體毛利率帶來(lái)正面貢獻(xiàn)。

Mehrotra表示，美光今年HBM產(chǎn)能已銷(xiāo)售一空、2025年絕大多數(shù)產(chǎn)能已被預(yù)訂。另外預(yù)期2024年DRAM、NAND產(chǎn)業(yè)供給都將低于需求。

此前，美光也指出，終端能執(zhí)行AI任務(wù)的PC、移動(dòng)設(shè)備，對(duì)內(nèi)存芯片來(lái)說(shuō)蘊(yùn)藏極大潛質(zhì)。

隨著AI芯片需求持續(xù)大漲，作為目前AI芯片當(dāng)中的極為關(guān)鍵的器件，HBM（高帶寬內(nèi)存）也是持續(xù)供不應(yīng)求，存儲(chǔ)大廠(chǎng)積極瞄準(zhǔn)HBM擴(kuò)產(chǎn)。

雖然外部不穩(wěn)定因素依然存在，但今年內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)已開(kāi)始呈現(xiàn)上升趨勢(shì)。全球大型科技客戶(hù)對(duì)產(chǎn)品的需求正在復(fù)蘇，并且隨著人工智能使用領(lǐng)域的擴(kuò)大，包括配備自己的人工智能的設(shè)備，如個(gè)人電腦和智能手機(jī)，對(duì)DDR5、LPDDR5T以及HBM3E等產(chǎn)品的需求預(yù)計(jì)會(huì)增加。

*免責(zé)聲明：本文消息源自科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫，由華強(qiáng)微電子整理，消息未經(jīng)官方證實(shí)，僅供交流學(xué)習(xí)之用。