在很多網(wǎng)友的心目中，要提升芯片性能，就要推動芯片工藝的進步，比如從7nm到5nm，再到3nm，再到2nm。

而過去的這些年，芯片廠商、晶圓廠商都是這么教育市場、教育消費者的，手機芯片、電腦從10nmn進步到7nm，再進步到5nm，再接著進入3nm……

事實上，當芯片進入到3nm后，要再提升工藝到2nm，甚至到埃米級（1埃米＝0．1nm）是非常困難的，因為成本太高了，所以各大芯片廠商們，也一直在探索不靠提升芯片工藝，來提升芯片性能。

前幾天臺積電、ARM、英特爾等10大芯片廠商成立的Chiplet聯(lián)盟，其實也是這個目的，通過封裝各和種不同工藝，不同廠商的小芯片粒，達到工藝不變，性能提升的目的。

而在Chiplet聯(lián)盟成立之外，臺積電也辦了另外一件事，那就是利用先進的3D封裝技術，讓7nm的芯片，比5nm還要強。

3月3日，英國的AI芯片公司Graphcore發(fā)布了一款IPU產(chǎn)品Bow，采用的就是臺積電7納米的3D封裝技術，也是全球首顆3D封裝的芯片。

這顆芯片的性能較上代提升了40％、功耗提升了16％，而單個封裝中的晶體管數(shù)量超過了600億晶體管。

按照業(yè)內(nèi)人士的說法，如果這顆芯片采用5nm工藝，未必比現(xiàn)在強，也就是說在采用了3D封裝技術后，7nm其實比5nm更強了。

3D封裝技術究竟是什么技術？我們知道以前的芯片封裝時，都是單個Die（硅片）進行封裝，要想芯片性能好， 要么Die（硅片）的面積更大，要么工藝再提升。

而3D封裝技術不一樣，采用的是幾塊Die（硅片）垂直疊加在一起，搞幾層一起封裝成一顆芯片，這樣減少了面積，減輕了重量，還提升了性能，因為單位面積內(nèi)，Die的面積呈幾倍增加，自然晶體管的數(shù)量也是成倍增加了。

事實上，這也有一點像之前網(wǎng)上曝光的所謂的華為雙芯片疊加技術，用兩塊14nm的芯片疊加起來，實現(xiàn)7nm芯片的性能。

但這個更徹底一點，不是兩顆芯片疊加，而是兩塊沒封裝的Die疊加，實現(xiàn)更強的性能，這遠比封裝成芯片后再疊加，強大的多，成本更低，性能更好，功耗也可控得多。

而這顆芯片的誕生，也證明了芯片性能的提升并不一定要提升工藝，也可以升級封裝技術，向先進封裝轉移。

這無疑也是當前眾多芯片廠商需要考慮和選擇的另外一個方面了，特別是國內(nèi)芯片工藝無法進步時，這種封裝技術，更加重要。