眾所周知， 所有的國(guó)產(chǎn)智能手機(jī)中，華為應(yīng)該是元件國(guó)產(chǎn)化程度最高的，能使用國(guó)產(chǎn)的元件，華為一般都是盡量使用國(guó)產(chǎn)的。

但即便是國(guó)產(chǎn)化程度最高，華為手機(jī)中依然有幾大部分是無(wú)法國(guó)產(chǎn)化的，第一是5G射頻前端，這部分主要來(lái)自于高通、Skyworks和Qorvo。

另外則是存儲(chǔ)部分，也就是DRAM內(nèi)存和NAND閃存，這部分來(lái)自于三星、美光、SK海力士、東芝等廠商。

至于其它關(guān)鍵元件，像Soc華為有麒麟芯片，而操作系統(tǒng)華為有鴻蒙，這些都可以國(guó)產(chǎn)化。

不得不說(shuō)，只要是無(wú)法國(guó)產(chǎn)化的部分，就有被卡脖子的風(fēng)險(xiǎn)，這不因?yàn)?G射頻芯片買(mǎi)不到，所以華為的5G芯片當(dāng)4G用，就算有麒麟9000芯片，也只能推出了4G版的P50，就是如此。

另外稱美光等廠商，據(jù)稱在DRM內(nèi)存、NAND閃存的出貨方面，也有一定的限制。

所以對(duì)于華為而言，想要重新推出5G手機(jī)，就得一步一步的解決卡脖子的問(wèn)題，盡量的實(shí)現(xiàn)100％的國(guó)產(chǎn)替代才行。

而近日，就傳出消息，華為打算直接采購(gòu)國(guó)產(chǎn)NAND裸芯片，自己封裝，走出解決卡脖子的第一步。

我們知道芯片都是由晶圓制造而成的，晶圓在完成全部制造工序后，還是一整塊圓的大晶圓，接下來(lái)會(huì)分割成一塊一塊的芯片，這稱之為Die，而這一小塊進(jìn)行封裝后，就成為一顆成品芯片，NAND閃存也是如此。

媒體報(bào)道稱，華為計(jì)劃是找長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接采購(gòu)NAND閃存制造后的一大片裸晶圓，然后自己來(lái)切割成Die，再自己來(lái)封裝成需要的NAND閃存顆粒。

因?yàn)橄衤愕木A原片，是不容易受管控的，拿到后再切割，再到封裝，這些技術(shù)難度并不大，且華為之前也已經(jīng)涉及到了PCB和板卡級(jí)、IC基板技術(shù)、數(shù)字電源等的封裝。

而華為之前也申請(qǐng)了眾多的IGBT、芯片封裝的多項(xiàng)技術(shù)專利，那么就只要安裝好芯片封裝設(shè)備，就可以進(jìn)行了。

甚至如果這一步進(jìn)展順利，未來(lái)還可以過(guò)渡到采購(gòu)更多的裸晶圓，自己切割成Die來(lái)自己封裝，還可以封裝更多的芯片出來(lái)，比如自動(dòng)駕駛芯片，IGBT芯片，甚至射頻芯片、Soc等？

特別是現(xiàn)在小芯片（Chiplet）技術(shù)流行，昨天intel、AMD、ARM、高通等10大巨頭更是成立了小芯片聯(lián)盟，推出了統(tǒng)一的小芯片標(biāo)準(zhǔn)“UCIe”，未來(lái)芯片封裝這一塊，也更為重要了。

目前華為還沒(méi)有對(duì)此事作出回應(yīng)，但想必不是空穴來(lái)風(fēng)，華為完全有這個(gè)能力，也有必要。