雖然在2021年時(shí)，大家就都知道2022年會(huì)是3nm芯片的量產(chǎn)之時(shí)，因三星、臺(tái)積電都有過表示，但具體是什么時(shí)候，大家都沒有細(xì)說。

而近日，終于傳出了確切消息，那就是三星代工市場戰(zhàn)略團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Moonsoo Kang正式對(duì)外表示，2022上半年三星第一代的3nm GAA （3GAAE）制程技術(shù)將量產(chǎn)，最遲不會(huì)超過二季度，而下半年將開始商業(yè)化生產(chǎn)。

此外，Moonsoo Kang還表示，三星的3nm芯片，會(huì)按照之前的計(jì)劃，采用GAAFET晶體管技術(shù)，而不是繼續(xù)使用從14nm就開始的FinFET晶體管技術(shù)。

而基于GAA技術(shù)，三星還將開發(fā)出第二代GAA技術(shù)，稱之為3GAAP（3nm Gate－All－Around Plus），預(yù)計(jì)于明年，也就是2023年量產(chǎn)。

估計(jì)聽到這個(gè)消息后，臺(tái)積電還是有點(diǎn)慌的，并不是因?yàn)槿且慨a(chǎn)3nm芯片了，而主要是因?yàn)槿鞘褂昧薌AA晶體管技術(shù)，確實(shí)比臺(tái)積電在3nm時(shí)使用的FinFET晶體管更先進(jìn)。

GAA晶體管能夠提供比FinFET 技術(shù)更好的靜電特性，能夠讓芯片進(jìn)一步微縮，也就是晶體管密度更大，另外還能降低柵極電壓，讓功耗降低。

所以如果三星的GAA技術(shù)的3nm芯片進(jìn)展迅速，良率比較高的話，對(duì)于臺(tái)積電而言，確實(shí)是一個(gè)非常大的壓力，說不定能夠從臺(tái)積電這搶到更多的客戶。

而按照三星的說法，3nmGAA芯片，較上一代的5nm的FinFET技術(shù)，面積能夠縮小35％，性能提高30％，或功耗提高50％。

接下來就讓我靜態(tài)三星新一代的3nm芯片何時(shí)量產(chǎn)了，我想臺(tái)積電也是在拭目以待，看看三星能不能借3nm工藝，威脅到自己的地位，畢竟三星一直想要打敗臺(tái)積電，成全球代工廠商中的冠軍的。

當(dāng)然，臺(tái)積電和三星在3nm競爭，于我們而言，只是神仙打架，畢竟中芯才14nm，離3nm還好幾代，再加上10nm以下的設(shè)備受限，可以說離3nm還遙不可及。