據(jù)媒體報(bào)道稱(chēng)，環(huán)球晶圓正擴(kuò)大化合物半導(dǎo)體布局，并傳出 6 寸碳化硅（SiC）基板已供貨意法半導(dǎo)體等歐洲車(chē)用半導(dǎo)體大廠，在客戶(hù)需求較預(yù)期強(qiáng)勁下，明年產(chǎn)能更可望大增 3 倍。

環(huán)球晶圓董事長(zhǎng)徐秀蘭透露，明年同步擴(kuò)產(chǎn) GaN（氮化鎵） 與 SiC（碳化硅），產(chǎn)能均將翻倍成長(zhǎng)，且將在美國(guó)擴(kuò)充 SiC 磊晶產(chǎn)能，新擴(kuò)充的產(chǎn)能都已被客戶(hù)訂光。

目前，環(huán)球晶圓 6 寸 SiC 基板月產(chǎn)能約 2000 片，部分客戶(hù)已開(kāi)始出貨，據(jù)悉，由于客戶(hù)需求強(qiáng)勁，明年 6 寸 SiC 基板產(chǎn)能將不只“翻倍增”，而是呈現(xiàn)“倍數(shù)成長(zhǎng)”，可望擴(kuò)增至 5000 片，也有機(jī)會(huì)進(jìn)一步提升至 8000 片。

徐秀蘭先前就曾透露，SiC 需求比預(yù)期強(qiáng)勁，發(fā)展速度需更快、規(guī)模也要更大，因此正持續(xù)加快產(chǎn)能擴(kuò)增與送樣進(jìn)度，并看好在電動(dòng)車(chē)需求、各國(guó)內(nèi)燃機(jī)銷(xiāo)售禁令等帶動(dòng)下，產(chǎn)能擴(kuò)充速度快，每年產(chǎn)值年復(fù)合成長(zhǎng)率（CAGR）會(huì)很大。

目前全球 SiC 基板供應(yīng)龍頭廠為 Wolfspeed，市占率高達(dá) 6 成，其次為羅姆半導(dǎo)體與 II-VI，兩者市占率共約 35%，等于前三大廠就占全球高達(dá) 95% 的 SiC 基板產(chǎn)能。

隨著電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)爆發(fā)，對(duì)高頻、高功率、高電壓、高溫特性的第三代半導(dǎo)體材料需求殷切，但目前全球 SiC 晶圓年產(chǎn)能僅約 40-60 萬(wàn)片，且主流尺寸為 6 吋，每片晶圓能制造的芯片數(shù)量不大，仍遠(yuǎn)不能滿(mǎn)足終端需求。

對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，徐秀蘭表示，即便 2024 年硅晶圓產(chǎn)能大量開(kāi)出，需求仍大于供給，市場(chǎng)供需還是非常平衡健康，另外也說(shuō)，環(huán)球晶圓現(xiàn)階段訂單能見(jiàn)度到 2024 年都沒(méi)問(wèn)題，等于能見(jiàn)度延長(zhǎng)一年。

徐秀蘭指出，整體半導(dǎo)體明年需求是可以放心的，預(yù)期明年成長(zhǎng)幅度會(huì)比今年更大，包括第三代化合物半導(dǎo)體，目前環(huán)球晶圓現(xiàn)階段訂單能見(jiàn)度到 2024 年都沒(méi)問(wèn)題，至于在化合物半導(dǎo)體方面，未來(lái)的成長(zhǎng)動(dòng)能雖然比第一代和第二代半導(dǎo)體的速度更快，但由于是新領(lǐng)域初期要希望 5 年內(nèi)產(chǎn)出，能達(dá)到整體半導(dǎo)體比的 1 成還有難度。

據(jù)悉，環(huán)球晶圓的長(zhǎng)約在 2018 年時(shí)，約落在 2-3 年，而今年環(huán)球晶圓的長(zhǎng)約已經(jīng)長(zhǎng)達(dá) 5-8 年，顯示客戶(hù)主動(dòng)要求簽長(zhǎng)約的比例也持續(xù)升高。

徐秀蘭強(qiáng)調(diào)，同業(yè)擴(kuò)產(chǎn)少數(shù)將從 2023 年下半年開(kāi)出，最大量開(kāi)出將集中在 2024 年初，當(dāng)前已宣布在興建中的半導(dǎo)體廠對(duì)硅晶圓的需求量，大于已興建中的硅晶圓產(chǎn)能，因此即使 2024 年硅晶圓產(chǎn)能全開(kāi)出，市場(chǎng)供需還是平衡健康。

談及明年價(jià)格，徐秀蘭表示，ASP 確實(shí)將進(jìn)步一些，但包括運(yùn)費(fèi)等成本壓力也很大，透過(guò)價(jià)格上漲，可彌補(bǔ)成本、新產(chǎn)能折舊費(fèi)用等。