根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，在美國加州舊金山舉辦的IEDM 2021 當(dāng)中，IBM與三星共同推出了名為垂直傳輸場效應(yīng)晶體管(VTFET) 技術(shù)。該技術(shù)將晶體管以垂直方式堆疊，并且讓電流也改以垂直方式進(jìn)行流通，如此可使得晶體管數(shù)量密度再次提高之外，更大幅提高電源使用效率，并且突破目前在1nm制程設(shè)計(jì)上所面臨的瓶頸。

報(bào)導(dǎo)強(qiáng)調(diào)，相較傳統(tǒng)將晶體管以水平方式放置的設(shè)計(jì)，垂直傳輸場效應(yīng)晶體管將能增加晶體管數(shù)量堆疊密度，并且讓運(yùn)算速度提升兩倍，同時(shí)藉由讓電流以垂直方式流通，使得電力損耗在相同的性能發(fā)揮情況下，降低85%的幅度。

IBM 和三星指出，該制程技術(shù)將能在未來達(dá)到手機(jī)在一次充電的情況下，待機(jī)續(xù)航力達(dá)到一整個(gè)星期的水準(zhǔn)。另外，這也可以使某些耗能密集型的工作，例如加密工作能更加省電，進(jìn)一步減少對環(huán)境的影響。

不過，目前IBM 與三星尚未透露預(yù)計(jì)何時(shí)開始將垂直傳輸場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)應(yīng)用在實(shí)際產(chǎn)品。但是市場人士預(yù)估，將在很短的時(shí)間內(nèi)會(huì)有進(jìn)一步消息。

相對于IBM 與三星的技術(shù)成果發(fā)表，晶圓代工龍頭臺積電也已經(jīng)在2021 年5 月宣布，與臺灣大學(xué)、麻省理工學(xué)院共同完成研究，藉由鉍金屬的特性來突破1nm制程生產(chǎn)的極限，讓制程技術(shù)下探至1nm以下。

另外，英特爾日前也已經(jīng)公布其未來制程技術(shù)發(fā)展布局，除了現(xiàn)有納米等級制程節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)之外，接下來也會(huì)開始布局埃米等級制程技術(shù)發(fā)展，預(yù)計(jì)最快會(huì)在2024 年進(jìn)入20A 制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)。