中商情報(bào)網(wǎng)訊：半導(dǎo)體分立器件主要用于各類電子設(shè)備的整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、混頻、放大等，具有廣泛的應(yīng)用范圍和不可替代性。目前半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)通常沿著功率、頻率和微型化等方向發(fā)展，形成了新的器件理論和新的封裝結(jié)構(gòu)，各種新型半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品不斷上市，促進(jìn)著電子信息技術(shù)的快速發(fā)展。

市場規(guī)模

目前，我國已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場，根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2020年我國半導(dǎo)體分立器件市場規(guī)模已達(dá)到2763.4億元。就國內(nèi)市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，還較大程度上依賴進(jìn)口，未來進(jìn)口替代空間較大，預(yù)計(jì)2022年我國半導(dǎo)體分立器件市場規(guī)模將達(dá)3180.3億元。

數(shù)據(jù)來源：中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

產(chǎn)量

從中長期看，國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長。近年來物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、新能源、醫(yī)療電子、VR/AR、安防電子等新興應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒊蔀閲鴥?nèi)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長點(diǎn)。2020年受疫情影響及出口市場的下滑，我國半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量達(dá)7317.7億只，同比下降4.3%，預(yù)計(jì)2022年我國半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)量可達(dá)8079.2億只。

數(shù)據(jù)來源：中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

行業(yè)技術(shù)特點(diǎn)

隨著終端產(chǎn)品的整體技術(shù)水平要求越來越高，功率半導(dǎo)體分立器件技術(shù)也在市場的推動(dòng)下不斷向前發(fā)展，CAD設(shè)計(jì)、離子注入、濺射、多層金屬化、亞微米光刻等先進(jìn)工藝技術(shù)已應(yīng)用到分立器件生產(chǎn)中，行業(yè)內(nèi)產(chǎn)品的技術(shù)含量日益提高、制造難度也相應(yīng)增大。

目前日本和美國等發(fā)達(dá)國家的功率器件領(lǐng)域，很多VDMOS（功率場效應(yīng)管）、IGBT產(chǎn)品已采用VLSI（超大規(guī)模集成電路）的微細(xì)加工工藝進(jìn)行制作，生產(chǎn)線已大量采用8英寸、0.18微米工藝技術(shù)，大大提高了功率半導(dǎo)體分立器件的性能。

未來發(fā)展趨勢

1.新產(chǎn)品、新材料不斷涌現(xiàn)，不斷拓展新的應(yīng)用領(lǐng)域

當(dāng)前半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生深刻的變革，其中新材料成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展重心。以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的新材料半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而受到行業(yè)關(guān)注，有望成為新型的半導(dǎo)體材料。

SiC、GaN等半導(dǎo)體材料屬于新興領(lǐng)域，具有極強(qiáng)的應(yīng)用戰(zhàn)略性和前瞻性。目前美歐、日韓及臺灣等地區(qū)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)SiC、GaN等新材料半導(dǎo)體功率器件的量產(chǎn)。新材料半導(dǎo)體的涌現(xiàn)將不斷提升半導(dǎo)體器件的性能，使得產(chǎn)品能夠滿足更多應(yīng)用領(lǐng)域的需求。

2.小型化、模塊化、系統(tǒng)化程度不斷提升

未來伴隨著移動(dòng)智能終端、5G網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng)、新能源、AR/VR等新興行業(yè)的發(fā)展，新型半導(dǎo)體分立器件將不斷涌現(xiàn)，在替代原有市場應(yīng)用的同時(shí)，將持續(xù)開拓新興應(yīng)用領(lǐng)域。同時(shí)，為了使現(xiàn)有半導(dǎo)體分立器件能適應(yīng)市場需求的快速變化，需要采用新技術(shù)、開發(fā)新的應(yīng)用材料、繼續(xù)優(yōu)化完善結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、制造工藝和封裝技術(shù)等，提高器件的性能。

此外，下游電子信息產(chǎn)品小型化、智能化發(fā)展趨勢，必然要求內(nèi)嵌其中的半導(dǎo)體分立器件等關(guān)鍵零部件盡可能小型化、微型化以及多功能化。為適應(yīng)整機(jī)裝配效率和提高整機(jī)性能可靠性、穩(wěn)定性的要求，半導(dǎo)體分立器件將趨于體積小型化、組裝模塊化、功能系統(tǒng)化。

3.產(chǎn)業(yè)鏈屬性決定IDM將成為主流發(fā)展模式

由于分立器件在投資規(guī)模方面采用IDM模式具備經(jīng)濟(jì)效益上的較強(qiáng)可行性，同時(shí)半導(dǎo)體分立器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝都對產(chǎn)品性能產(chǎn)生較大影響，對企業(yè)設(shè)計(jì)與工藝結(jié)合能力要求較高，業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)一般沿著原有業(yè)務(wù)進(jìn)行產(chǎn)業(yè)鏈延伸，逐步完善IDM模式發(fā)展。

分立器件行業(yè)發(fā)展IDM模式有兩種典型路徑：一類是以芯片技術(shù)為基礎(chǔ)的公司，該類企業(yè)通常在特定品種的分立器件擁有較強(qiáng)的競爭優(yōu)勢，為客戶提供自主芯片對應(yīng)的分立器件，在發(fā)展過程中逐步補(bǔ)強(qiáng)封測技術(shù)和產(chǎn)能。另一類是以封測技術(shù)為基礎(chǔ)的公司，該類企業(yè)具備“多品種、多規(guī)格”的產(chǎn)品系列，可以為客戶提供“一站式”采購服務(wù)，在發(fā)展過程中不斷發(fā)展芯片技術(shù)和產(chǎn)能。