Fujitsu推出新款8Mbit FRAM存儲器，支持高達(dá)100萬億次寫入次數(shù)
2021-11-24
來源：21IC電子網(wǎng)
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關(guān)鍵詞： FRAM存儲器
（全球TMT2021年11月24日訊）Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited已推出帶并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2TA存儲器，這也是Fujitsu首款支持100萬億次讀/寫周期的FRAM系列產(chǎn)品。
MB85R8M2TA存儲器配有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V-3.6V的電源電壓范圍內(nèi)工作。新款FRAM在快頁模式下可實現(xiàn)25ns的訪問時間，因此在持續(xù)數(shù)據(jù)傳輸時的訪問速度可與SRAM相媲美。與Fujitsu的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，該存儲器實現(xiàn)了高速運行（訪問速度提高約30%）和低功耗（工作電流減少10%）。這款存儲器IC是SRAM的理想替代產(chǎn)品，可用于需要高速運行的工業(yè)機(jī)器。
