今日，三星宣布已開(kāi)始量產(chǎn)基于極紫外光（EUV）技術(shù)的14納米（nm）DRAM。繼去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又將EUV層數(shù)增加至5層，為其DDR5解決方案提供當(dāng)下更為優(yōu)質(zhì)、先進(jìn)的DRAM工藝。

三星首款14納米DRAM

 

三星首款14納米DRAM

“通過(guò)開(kāi)拓關(guān)鍵的圖案（key patterning）技術(shù)，三星活躍全球DRAM市場(chǎng)近三十年。”三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)主管Jooyoung Lee表示，“如今，三星正通過(guò)多層EUV技術(shù)，樹(shù)立了一座新的技術(shù)里程碑，實(shí)現(xiàn)了更加微型化的14納米工藝，而這也是傳統(tǒng)氟化氬（ArF）工藝無(wú)法做到的。在此基礎(chǔ)上，三星將繼續(xù)提供極具差異化的內(nèi)存解決方案，充分滿(mǎn)足5G、人工智能和元宇宙等數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的時(shí)代對(duì)更高性能和更大容量的需求。”

隨著DRAM工藝不斷縮小至10納米范圍，EUV技術(shù)變得越來(lái)越重要，因?yàn)樗芴嵘龍D案準(zhǔn)確性，從而獲得更高性能和更大產(chǎn)量。通過(guò)在14納米DRAM中應(yīng)用5個(gè)EUV層，三星實(shí)現(xiàn)了自身最高的單位容量，同時(shí)，整體晶圓生產(chǎn)率提升了約20%。此外，與上一代DRAM工藝相比，14納米工藝可幫助降低近20%的功耗。

根據(jù)最新DDR5標(biāo)準(zhǔn)，三星的14納米DRAM將有助于釋放出之前產(chǎn)品所未有的速度：高達(dá)7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。

三星計(jì)劃擴(kuò)展其14納米DDR5產(chǎn)品組合，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算機(jī)和企業(yè)服務(wù)器應(yīng)用。另外，三星預(yù)計(jì)將其14納米DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好滿(mǎn)足全球IT系統(tǒng)快速增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)需求。