10月9日,據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道,三星電子已經(jīng)確保3NM制程工藝有穩(wěn)定的良品率,并計(jì)劃于明年6月正式投入生產(chǎn),為相關(guān)芯片提供代工。不久前,三星電子的一名高管在三星代工論壇中也透露了這一消息。

據(jù)了解,三星電子的3NM工藝,沒有延續(xù)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)技術(shù),轉(zhuǎn)而采用全環(huán)繞柵極晶體管(GAA)技術(shù)。三星電子表示,采用GAA技術(shù)代工的芯片,其性能比5NM FinFET要高出50%,能耗也會(huì)降低50%。

此前,FinFET結(jié)構(gòu)為22NM節(jié)點(diǎn)帶來(lái)了革命性提升,與普通的平面晶體管相比,與柵極三面接觸的“鰭”狀所形成的通道更容易控制,這也是“鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管”名稱的由來(lái)。然而,隨著5NM和3NM面臨的技術(shù)難點(diǎn)不斷累積,FinFET結(jié)構(gòu)逐漸被“掏空”,晶體管微縮的空間已經(jīng)非常有限。

而GAA則對(duì)鰭式通道進(jìn)行改良,用納米薄片代替其中的鰭片,使晶體管擁有更強(qiáng)大的負(fù)載能力,而且也為后期的工藝進(jìn)步打下基礎(chǔ)。說(shuō)不定,三星3NM GAA工藝代工的芯片,其功耗比會(huì)比現(xiàn)有的5NM FinFET有較大改善。

三星電子對(duì)3NM工藝寄予厚望,今年6月底就有成功流片的消息。采用GAA的3NM工藝,5NM FinFET發(fā)熱大、耗電快、性能釋放不穩(wěn)定的問題可能將成為過(guò)去。高通驍龍888表現(xiàn)欠佳,有一部分原因也跟三星5NM工藝有關(guān)系。

臺(tái)積電也沒有“閑著”,該公司的CEO魏哲家透露,臺(tái)積電的3NM工藝在今年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),預(yù)計(jì)明年也將投入生產(chǎn)。

值得一提的是,高通驍龍下一代旗艦SoC可能采用三星4NM LPE工藝。@MauriQHD的推特透露,三星的4NM LPE其實(shí)是5NM LPA工藝的改名版。也就是說(shuō),新一代的三星4NM工藝不一定會(huì)為高通新一代旗艦處理器帶來(lái)較大的功耗提升。不過(guò),該芯片最終會(huì)找哪家企業(yè)代工,目前還是未知數(shù)。

因?yàn)楦咄旪?88的表現(xiàn),不少消費(fèi)者對(duì)“三星代工”似乎并不看好。相比之下,臺(tái)積電代工的芯片更受網(wǎng)友的青睞,其中包括高通驍龍870。當(dāng)然,小雷還是希望三星的3NM技術(shù)能夠挽回5NM的口碑,帶來(lái)兼顧性能和功耗的產(chǎn)品。