相較韓國半導體產(chǎn)業(yè)最早開始采用EUV光刻技術，相關產(chǎn)業(yè)存儲器與晶圓代工時程相對落后。但韓國媒體《Business Korea》報導，近期中國臺灣地區(qū)半導體企業(yè)加緊投資EUV光刻技術，進一步擴大競爭優(yōu)勢。

目前投資中國臺灣地區(qū)最大外商的美商存儲器大廠美光科技，除決定今年底美國總部安裝ASML最新曝光設備NXE：3600D，美光還計劃在臺中DRAM工廠安裝相同EUV光刻設備。代表美光科技將在中國臺灣地區(qū)生產(chǎn)第一顆EUV技術DRAM，并持續(xù)增加投資。

除了美光科技積極部署EUV光刻技術，全球DRAM產(chǎn)業(yè)排名第四大的南亞科技也于4月宣布，投資3000億元新臺幣在新北市興建含EUV光刻設備的DRAM產(chǎn)線，預計2024年量產(chǎn)營運。

晶圓代工龍頭臺積電的EUV光刻設備產(chǎn)業(yè)影響力也有增加。今年第二季起，采用EUV光刻設備的7納米及更先進制程技術占公司總營收49%，正從曝光設備廠商ASML采購更多EUV光刻設備，增加研發(fā)投入。包括臺積電自行生產(chǎn)EUV光罩，以提升良率和制程效率。

韓國三星是全球首家采用EUV光刻技術的半導體企業(yè)，并在2019年首次量產(chǎn)，如今大規(guī)模發(fā)展EUV技術的還加上美光科技、臺積電等中國臺灣地區(qū)半導體企業(yè)。韓國市場專家指出，基礎設施持續(xù)擴張，預計為中國臺灣地區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)帶來更強大的競爭優(yōu)勢。