彤程新材8月16日晚間發(fā)布2021年半年度報告，公司上半年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入11.72億元，同比增長24.30%;實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤2.37億元，同比增長31.72%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤1.87億元，同比增長7.31%。

報告期內(nèi)，公司管理層圍繞年初制定的經(jīng)營計劃，提升原有業(yè)務(wù)產(chǎn)能，優(yōu)化業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)，積極 研發(fā)創(chuàng)新，保持了公司整體業(yè)務(wù)穩(wěn)定增長，并取得了良好的經(jīng)營成果。2021 年上半年?duì)I業(yè)收入 同比增長 24.3%，且投資收益也有相應(yīng)增長，故 2021 年上半年歸屬于上市公司股東的凈利潤較上 年同期增長 31.72%。同時公司緊抓銷售，加大回款力度，經(jīng)營活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流量較上年同期 提高 422.24%。

報告顯示，公司通過產(chǎn)業(yè)鏈橫向和縱向延伸，產(chǎn)品進(jìn)一步多元化、成本優(yōu)勢凸顯，在持續(xù)夯實(shí)原有客戶合作基礎(chǔ)上，進(jìn)一步擴(kuò)大全球市場占有率，通過與產(chǎn)業(yè)上下游協(xié)作，在產(chǎn)品開發(fā)、市場服務(wù)、功能品質(zhì)提升等全方位建立圍繞客戶需求的長期多元化合作模式。

在半導(dǎo)體光刻膠的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售方面，公司旗下半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)企業(yè)--北京科華，產(chǎn) 品應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋集成電路（IC）、發(fā)光二極管（LED）、分立器件、先進(jìn)封裝、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS） 等，產(chǎn)品覆蓋 KrF（248nm）、G/I 線（含寬譜）、Lift-off 工藝使用的負(fù)膠，用于分立器件的 BN、BP 系列正負(fù)性膠等類型。其中 G 線光刻膠市場占有率超過 60%；I 線光刻膠和 KrF 光刻膠是國內(nèi) 8-12 寸集成電路產(chǎn)線主要的本土供應(yīng)商。公司能夠滿足主流半導(dǎo)體公司在8 寸、12 寸線的需求， 并持續(xù)推進(jìn) KrF、高分辨 I 線光刻膠等高端光刻膠的國產(chǎn)化替代進(jìn)程。北京科華申報的“12 英寸光 刻膠國產(chǎn)化量產(chǎn)應(yīng)用”獲集成電路材料創(chuàng)新聯(lián)盟主辦的首屆集成電路材料獎“最佳合作獎”、 “KMPDK1089深紫外正性光刻膠”產(chǎn)品獲得中國國際高新技術(shù)成果交易會組委會主辦的第二十二屆 中國國際高新技術(shù)成果交易會優(yōu)秀產(chǎn)品獎等。

在顯示面板光刻膠方面，公司旗下顯示面板光刻膠生產(chǎn)企業(yè)--北旭電子是中國大陸第一家 TFT-LCDArray 光刻膠本土生產(chǎn)商，也是國內(nèi)最大的液晶正性光刻膠本土供應(yīng)商，其產(chǎn)品在國內(nèi)最大面板客戶京東方的 占有率超 45%，國內(nèi)市場占有率近 20%，全球市場占有率約 9%，隨著積極推進(jìn)國內(nèi)面板其它頭 部客戶導(dǎo)入測試以及 Halftone 產(chǎn)品的突破，市場份額還將進(jìn)一步提升。

另外，彤程新材發(fā)布公告表示，根據(jù)公司發(fā)展戰(zhàn)略，進(jìn)一步深化公司在電子材料領(lǐng)域的業(yè)務(wù)布局，彌補(bǔ)國內(nèi)光刻膠技術(shù)與全球先進(jìn)水平的差距，研究ArF光刻膠，特別是193nm濕法光刻膠的工業(yè)化生產(chǎn)技術(shù)，確定193nm光刻膠工程化放大技術(shù)、標(biāo)準(zhǔn)的生產(chǎn)流程及質(zhì)量管控體系，研發(fā)生產(chǎn)光刻膠高端產(chǎn)品。

公司從實(shí)際生產(chǎn)經(jīng)營需求出發(fā)，決定通過公司全資子公司-上海彤程電子材料有限公司（以下簡稱“彤程電子”）在上?；瘜W(xué)工業(yè)區(qū)內(nèi)使用自籌資金人民幣6.9853億元，投資建設(shè)“ArF高端光刻膠研發(fā)平臺建設(shè)項(xiàng)目”，項(xiàng)目預(yù)計于2023年末建設(shè)完成。

據(jù)其介紹，ArF光刻膠工業(yè)化生產(chǎn)開發(fā)主要涉及的內(nèi)容包括：

（1）193nm光刻膠生產(chǎn)過程中的微小顆粒的控制技術(shù)，研究0.15μm及以下顆粒在精細(xì)化生產(chǎn)過程中的控制技術(shù)；

（2）193nm光刻膠中痕量金屬離子雜質(zhì)的控制技術(shù)，從原料、生產(chǎn)設(shè)備及生產(chǎn)工藝等環(huán)節(jié)入手研究ppb/ppt級別的金屬離子含量控制技術(shù),以及國產(chǎn)化原料及裝備的可替代性；

（3）對光刻膠的作用機(jī)理進(jìn)行研究，通過對缺陷的檢測發(fā)現(xiàn)及成因分析，提高193nm光刻膠生產(chǎn)批次穩(wěn)定性控制技術(shù)。

其強(qiáng)調(diào) ：193nm(ArF)高端光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)技術(shù)難度大、質(zhì)量要求高，產(chǎn)品基本掌握在國外專業(yè)廠商手中。本項(xiàng)目計劃引進(jìn)高端專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，負(fù)責(zé)關(guān)鍵配方研制、關(guān)鍵應(yīng)用技術(shù)開發(fā)、質(zhì)量管控及產(chǎn)品生產(chǎn)。同時充分利用公司多年在集成電路配方型功能性化學(xué)材料開發(fā)和應(yīng)用方面所積累和擁有的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，與引進(jìn)技術(shù)團(tuán)隊(duì)充分配合協(xié)作，確保本項(xiàng)目開發(fā)成功。