中商情報網(wǎng)訊：低壓化學氣相淀積系統(tǒng)（LPCVD）把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入LPCVD設備的反應室，在襯底表面發(fā)生化學反應生成薄膜；等離子體增強化學氣相淀積系統(tǒng)（PECVD）在沉積室利用輝光放電，使其電離后在襯底上進行化學反應，沉積半導體薄膜材料。

市場規(guī)模

根據(jù)MaximizeMarketResearch數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2017-2019年全球半導體薄膜沉積設備市場規(guī)模分別為125億美元、145億美元和155億美元，2020年擴大至約172億美元，年復合增長率為11.2%。

數(shù)據(jù)來源：Maximize Market Research、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

未來發(fā)展趨勢

1.薄膜沉積設備市場需求穩(wěn)步增長

 薄膜沉積設備行業(yè)一方面長期受益于全球半導體需求增加與產(chǎn)線產(chǎn)能的擴充，另一方面受益于技術(shù)演進帶來的增長機遇，包括制程進步、多重曝光與 3D NAND 存儲技術(shù)。根據(jù)SEMI 于2020 年6 月發(fā)布的《全球晶圓廠預測報告》，2020 年全球新建晶圓廠 21 座，包括中國大陸的 9 座、臺灣的 5 座；2021 年全球預計開工 18個晶圓廠，其中包括中國大陸10 座、臺灣3 座。

根據(jù)中國國際招投標網(wǎng)公布的信息，長江存儲、上海華力、華虹無錫、上海積塔、中芯紹興、合肥晶合等中國本土晶圓廠正在加大設備采購力度。中國本土晶圓廠建廠的熱潮將一同引領中國半導體薄膜沉積設備的需求增長。

2.芯片工藝進步及結(jié)構(gòu)復雜化提高薄膜設備需求

 在薄膜性能方面，先進制程的前段工藝對薄膜均勻性、顆粒數(shù)量控制、金屬污染控制的要求逐步提高。在設備種類方面，臺階覆蓋能力強、薄膜厚度控制精準的ALD 設備，高深寬比溝槽孔洞填充能力強，沉積速度快的SACVD 等新設備被引入產(chǎn)線。在新薄膜材料方面，更強絕緣性能（低k）的材料，與低k 材料配套使用的新型阻擋層材料以及光刻工序中新的光掩膜工藝硬掩模層材料得到應用。

3.先進產(chǎn)線對薄膜設備需求量陡增

隨著產(chǎn)線的逐漸升級，晶圓廠對薄膜沉積設備數(shù)量和性能的需求將繼續(xù)隨之提升，在實現(xiàn)相同芯片制造產(chǎn)能的情況下，對薄膜沉積設備的需求量也將相應增加。

盡管全球半導體設備市場有較強的周期性，但中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)正面臨前所未有的發(fā)展機遇，國家戰(zhàn)略聚焦，巨大市場支撐，產(chǎn)業(yè)鏈良性互動，產(chǎn)業(yè)資本日漸發(fā)力，大陸及國際資本投資的晶圓廠數(shù)量不斷增加，制程更加先進，中國薄膜沉積設備行業(yè)將保持高成長性，未來中國市場的重要性將進一步提高。