7月12日消息，近期傳出英特爾（Intel）將下單給臺(tái)積電3nm制程，但英特爾執(zhí)行長(zhǎng)Pat Gelsinger卻投書(shū)媒體表示，補(bǔ)助520億美元在美設(shè)廠、卻不把技術(shù)、IP專利權(quán)留在美國(guó)的外企，外界認(rèn)為這就是指臺(tái)積電，并引發(fā)嘩然。

對(duì)此，半導(dǎo)體業(yè)界指出，看不懂英特爾的操作為何，甚至希望英特爾先別再延遲7nm新品推出，才是挽救公司營(yíng)運(yùn)的主要目標(biāo)。

面對(duì)英特爾背后捅刀，惹來(lái)資深半導(dǎo)體分析師陸行之在臉書(shū)列出4項(xiàng)質(zhì)疑，認(rèn)為英特爾打從心里沒(méi)把臺(tái)積電當(dāng)合作伙伴，使用臺(tái)積電代工也只是暫時(shí)逼不得已，另外一面則是不斷游說(shuō)美國(guó)政府不要補(bǔ)助臺(tái)積電，那去美國(guó)設(shè)廠也做個(gè)樣板廠就好，不需要熱臉貼冷屁股。

也在同時(shí)，英特爾近日宣布，由于10nm制程再度延期，預(yù)期代號(hào)Sapphire Rapids的服務(wù)器處理器將從今年底延至明年初才會(huì)量產(chǎn)，被視為Pat Gelsinger上臺(tái)首場(chǎng)挫敗，雖然官方指稱這是為了讓該款處理器性能提升，Bernstein Research分析師Stacy Rasgon就表示，認(rèn)為英特爾提出的改革藍(lán)圖，無(wú)法改善該公司產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)惡化的事實(shí)。

據(jù)Digitimes報(bào)導(dǎo)，半導(dǎo)體業(yè)界指出，臺(tái)積電2020年宣部赴美設(shè)廠，用以生產(chǎn)5nm制程生產(chǎn)線，這是早就與美國(guó)談好的內(nèi)容，況且這是美國(guó)邀請(qǐng)臺(tái)積電赴美設(shè)廠，若美國(guó)沒(méi)有拿出大量補(bǔ)貼臺(tái)積電，照過(guò)去臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音指出，美國(guó)政府補(bǔ)助是影響臺(tái)積電赴美設(shè)廠關(guān)鍵，臺(tái)積電赴美的成本換算下來(lái)跟在臺(tái)灣設(shè)廠差不多，這也是美國(guó)展現(xiàn)的心意。

如今，英特爾卻由執(zhí)行長(zhǎng)Pat Gelsinger投書(shū)批評(píng)政經(jīng)情勢(shì)，應(yīng)該先顧好自己提出2023年推出7nm制程產(chǎn)品，不宜再延遲，并全心投入IDM 2.0(垂直整合制造2.0)計(jì)劃，完成采用研發(fā)最佳產(chǎn)品、最好生產(chǎn)方式替客戶服務(wù)，將投入200億美元興建2座晶圓代工廠等承諾。

照理來(lái)說(shuō)，英特爾在半導(dǎo)體領(lǐng)域的地位，其實(shí)從美國(guó)政府下手都比投書(shū)還快。另外，英特爾與臺(tái)積電合作，雖然3nm制程投片量不如蘋(píng)果，但也是規(guī)模放量增長(zhǎng)，實(shí)在看不懂Pat Gelsinger的操作。

至于英特爾還要與NVIDIA、AMD競(jìng)爭(zhēng)，甚至X86架構(gòu)還要面對(duì)ARM的挑戰(zhàn)，若有臺(tái)積電晶圓代工產(chǎn)能支撐，將有更多余裕放在設(shè)計(jì)資源上，雖然英特爾不一定情愿下單給臺(tái)積電，但對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō)都不至于營(yíng)運(yùn)造成影響。