2025年是電力電子行業(yè)的轉折點。盡管電動汽車（EV）銷量放緩，但IDTechEx預測，到2036年，電動汽車電力電子市場的規(guī)模將增長兩倍，達到420億美元。

IDTechEx指出，盡管全球電池電動汽車（BEV）的銷量有所放緩，但其市場滲透率仍在不斷增長。IDTechEx研究機構認為，SiC MOSFET的增長潛力依然顯著。全球BEV增長放緩的態(tài)勢被插電式混合動力電動汽車（PHEV）中牽引逆變器對SiC MOSFET的增部署所抵消。包括豐田和舍弗勒在內的主要原始設備制造商（OEM）和一級供應商已經宣布或發(fā)布了使用SiC MOSFET的PHEV驅動系統(tǒng)的詳細信息。

IDTechEx稱，盡管今年像Wolfspeed這樣的設備供應商收入減少，且SiC逆變器需要重新設計，但SiC MOSFET如今已成為比一年前更為主流的電動汽車選擇。

推動SiC MOSFETs整體成本下降的主要因素是SiC晶圓供應商之間的競爭加劇。許多公司正在擴大SiC晶圓的生產規(guī)模，多數(shù)為200mm晶圓。SiC晶圓的成本遠高于硅產品，可達SiC MOSFET芯片總成本的一半。兩年前，只有Wolfspeed和Coherent能夠大規(guī)模生產200mm SiC晶圓。到2025年，Wolfspeed將其200mm SiC晶圓開放給更廣泛的市場，英飛凌也擴大了200mm SiC晶圓的生產，并在今年早些時候基于其200mm SiC平臺交付了首批產品。與此同時，中國公司也驗證并擴大了SiC晶圓的生產，加強了小米、理想等國內OEM的供應鏈。

此外，多年來，GaN（氮化鎵）的材料特性被預測將徹底改變功率轉換領域。除了在數(shù)據(jù)中心電源單元中備受關注外，汽車行業(yè)也不應被忽視，作為GaN的高增長潛力市場。GaN已被用于LiDAR和低壓DC-DC轉換器，IDTechEx指出，我們即將見證GaN在長安啟源E07車載充電器（OBC）中的首次部署。預計該車型將在2026年上市，其GaN器件由Navitas供應，標稱功率密度為6kW/L，遠高于IDTechEx研究中現(xiàn)有OBC的標準功率密度2kW/L。

此外，還有多家公司正在研發(fā)使用GaN的牽引逆變器的設計、控制和功率半導體，包括VisIC Technologies、NXP和Cambridge GaN Devices。盡管IDTechEx認為這些技術的商業(yè)化部署將晚于OBC和DC-DC轉換器，但使用GaN所帶來的性能提升和潛在成本節(jié)約將推動技術成熟和市場活躍度，在未來十年內發(fā)揮重要作用。（校對/趙月）