鍵合設(shè)備國(guó)產(chǎn)化加速,A股上市公司搶占先進(jìn)封裝新賽道
關(guān)鍵詞: 先進(jìn)封裝 鍵合設(shè)備 國(guó)產(chǎn)替代 A股上市公司 半導(dǎo)體設(shè)備
隨著人工智能、高性能計(jì)算等終端應(yīng)用的爆發(fā),先進(jìn)封裝技術(shù)成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。據(jù)Yole數(shù)據(jù)預(yù)測(cè),2024–2030年全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)將達(dá)9.5%,2030年市場(chǎng)規(guī)模有望突破794億美元。在這一背景下,鍵合設(shè)備作為先進(jìn)封裝的核心工藝裝備,迎來前所未有的市場(chǎng)機(jī)遇。然而,當(dāng)前全球鍵合設(shè)備市場(chǎng)由EV Group、SUSS MicroTec、Tokyo Electron等國(guó)際巨頭主導(dǎo),2023年前五大廠商占據(jù)約86%的市場(chǎng)份額,我國(guó)在先進(jìn)封裝設(shè)備尤其是HBM產(chǎn)業(yè)鏈中的國(guó)產(chǎn)化率仍不足5%。
面對(duì)這一局面,在政策扶持與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的雙重驅(qū)動(dòng)下,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)正加快技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化步伐,A股多家上市公司已在鍵合設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破,與非上市力量形成合力,有望在國(guó)產(chǎn)替代與行業(yè)高景氣的雙重驅(qū)動(dòng)下迎來發(fā)展良機(jī)。
A股上市公司積極布局,國(guó)產(chǎn)設(shè)備逐步突破
鍵合工藝是半導(dǎo)體后道封裝的關(guān)鍵步驟,主要包括芯片鍵合(Die Bonding)、引線鍵合(Wire Bonding)以及更先進(jìn)的倒裝芯片鍵合(Flip Chip)、熱壓鍵合(TCB)與混合鍵合(Hybrid Bonding)等。隨著AI芯片、HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)等產(chǎn)品對(duì)封裝密度、散熱性能和信號(hào)傳輸速度要求不斷提高,傳統(tǒng)鍵合技術(shù)逐步向TCB、混合鍵合等先進(jìn)工藝演進(jìn)。當(dāng)芯片凸點(diǎn)間距縮小至10μm以下時(shí),混合鍵合已成為必然選擇。
尤其是在HBM制造中,堆疊層數(shù)不斷增加,I/O密度持續(xù)提升,推動(dòng)鍵合設(shè)備向更高精度、更小間距、更強(qiáng)散熱能力方向發(fā)展,HBM3的多層堆疊工藝更對(duì)熱壓鍵合(TCB)設(shè)備提出剛性需求。據(jù)華安證券測(cè)算,全球AI服務(wù)器帶動(dòng)的鍵合設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將從2023年的約78億元增長(zhǎng)至2025年的156億元,年復(fù)合增長(zhǎng)率顯著,但國(guó)內(nèi)供給能力嚴(yán)重不足,尤其是先進(jìn)封裝領(lǐng)域長(zhǎng)期依賴進(jìn)口。
政策端與市場(chǎng)端的共振為國(guó)產(chǎn)替代提供了絕佳窗口。我國(guó)先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)正處于產(chǎn)能建設(shè)加速期,國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝龍頭企業(yè)持續(xù)加碼2.5D/3D封裝產(chǎn)線,而設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率不足5%的現(xiàn)狀與“自主可控”戰(zhàn)略形成鮮明反差。這種供需錯(cuò)配催生了巨大的進(jìn)口替代空間,疊加鍵合設(shè)備單臺(tái)價(jià)值量高的特點(diǎn),為A股相關(guān)企業(yè)開辟了高增長(zhǎng)賽道。
在鍵合設(shè)備領(lǐng)域,多家A股上市公司已實(shí)現(xiàn)從研發(fā)到訂單落地的實(shí)質(zhì)性進(jìn)展,覆蓋TCB、混合鍵合、臨時(shí)鍵合等多條技術(shù)路線:

拓荊科技:混合鍵合領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)商業(yè)化突破
面向新的技術(shù)趨勢(shì)和市場(chǎng)需求,公司積極布局并成功進(jìn)軍半導(dǎo)體設(shè)備的前沿技術(shù)領(lǐng)域,研發(fā)并退出了應(yīng)用于三維集成領(lǐng)域的先進(jìn)鍵合設(shè)備,包括混合鍵合和熔融鍵合設(shè)備,及配套使用的量檢測(cè)設(shè)備,已經(jīng)在先進(jìn)存儲(chǔ)、CIS等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)。
作為薄膜沉積設(shè)備龍頭,拓荊科技在混合鍵合領(lǐng)域的拓展具有天然技術(shù)協(xié)同優(yōu)勢(shì)。公司開發(fā)的Dione 300系列晶圓對(duì)晶圓(W2W)鍵合設(shè)備,可實(shí)現(xiàn)常溫下多材料表面的高精度鍵合,廣泛應(yīng)用于3D IC、先進(jìn)封裝和CIS等高端領(lǐng)域。2023年該產(chǎn)品順利通過客戶驗(yàn)證并獲得復(fù)購(gòu)訂單,標(biāo)志著其已突破商業(yè)化初期壁壘。Dione 300 eX則應(yīng)用用于W2W高精度混合鍵合,已發(fā)貨至客戶端驗(yàn)證。配套推出的Pollux系列芯片對(duì)晶圓(D2W)鍵合表面預(yù)處理設(shè)備,形成“預(yù)處理+鍵合”的完整解決方案,在對(duì)準(zhǔn)精度與鍵合強(qiáng)度等核心指標(biāo)上接近國(guó)際一流水平。還推出了芯片對(duì)晶圓(C2W)混合鍵合設(shè)備Pleione 300,主要應(yīng)用于HBM、芯片三維集成領(lǐng)域,正在進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證,上半年已獲得客戶訂單并出貨,驗(yàn)證進(jìn)展順利。依托在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域積累的客戶資源,公司正快速切入頭部客戶供應(yīng)鏈,在混合鍵合這一最高技術(shù)壁壘領(lǐng)域搶占先機(jī)。
芯源微:臨時(shí)鍵合設(shè)備錨定Chiplet與HBM賽道
芯源微在鍵合設(shè)備領(lǐng)域的布局精準(zhǔn)聚焦InFO、CoWoS、HBM等2.5D、3D等先進(jìn)封裝核心需求,針對(duì)Chiplet技術(shù)解決方案,其推出的臨時(shí)鍵合機(jī)KS-C300-2TB及解鍵合機(jī)KS-S300-1DBL,專為Chiplet技術(shù)量身打造,兼容國(guó)內(nèi)外主流膠材工藝,可適配60μm及以上超大膜厚涂膠需求。今年上半年,公司臨時(shí)鍵合、解鍵合系列設(shè)備繼續(xù)獲得國(guó)內(nèi)多家客戶訂單, 進(jìn)入逐步放量階段,成為其繼涂膠顯影設(shè)備后的第二增長(zhǎng)曲線。
芯碁微裝:跨領(lǐng)域延伸切入鍵合關(guān)鍵環(huán)節(jié)
憑借在半導(dǎo)體光刻設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)積累,芯碁微裝成功將業(yè)務(wù)邊界拓展至晶圓鍵合領(lǐng)域。公司W(wǎng)B 8鍵合設(shè)備已覆蓋從對(duì)準(zhǔn)、預(yù)鍵合到熱處理的全流程,支持陽極鍵合、熱壓鍵合等多種工藝,目前支持的最大晶圓尺寸為8英寸,采用模塊化設(shè)計(jì),可運(yùn)用于先進(jìn)封裝、MEMS等多種場(chǎng)景用,并逐步向高端封裝場(chǎng)景滲透。公司通過與國(guó)內(nèi)頭部封裝企業(yè)的聯(lián)合開發(fā),正快速突破客戶驗(yàn)證壁壘,有望在HBM設(shè)備國(guó)產(chǎn)化浪潮中占據(jù)重要席位。
快克智能:聚焦TCB技術(shù)卡位先進(jìn)封裝剛需
快克智能以封裝工藝設(shè)備為切入點(diǎn),精準(zhǔn)布局先進(jìn)封裝核心環(huán)節(jié)。公司正在研發(fā)的TCB設(shè)備,專門針對(duì)HBM多層芯片堆疊等高端需求,預(yù)計(jì)2025年內(nèi)完成研發(fā)并啟動(dòng)客戶打樣。公司正針對(duì)先進(jìn)封裝領(lǐng)域核心工藝的TCB熱壓鍵合設(shè)備進(jìn)行重點(diǎn)技術(shù)攻關(guān),包括高精度焊頭和晶圓臺(tái)的機(jī)械設(shè)計(jì)、高精度倒裝運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)、高精度光學(xué)對(duì)位模組、超高速加熱控制、高精度閉環(huán)壓力控制系統(tǒng)等。
邁為股份:光伏設(shè)備龍頭的半導(dǎo)體跨界突破
邁為股份憑借精密制造領(lǐng)域的深厚積淀,在半導(dǎo)體鍵合設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速突破。公司聚焦半導(dǎo)體泛切割、2.5D/3D先進(jìn)封裝,提供封裝工藝整體解決方案,成功開發(fā)了晶圓混合鍵合、晶圓臨時(shí)鍵合、D2W TCB鍵合等設(shè)備,不斷提升產(chǎn)品在精度、穩(wěn)定性、可靠性與智能化方面的水平,現(xiàn)已交付多家客戶。在光伏設(shè)備業(yè)務(wù)提供的現(xiàn)金流支撐下,邁為股份得以維持高強(qiáng)度研發(fā)投入,其設(shè)備已在國(guó)內(nèi)多家封裝企業(yè)完成測(cè)試,展現(xiàn)出“跨界者”的獨(dú)特競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
新興力量攻堅(jiān)合力,加速研發(fā)和推進(jìn)鍵合設(shè)備
在A股上市公司早鍵合設(shè)備領(lǐng)域不斷取得突破的同時(shí),國(guó)內(nèi)眾多新興設(shè)備企業(yè)也攻勢(shì)迅猛,他們?cè)陉P(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域的突破呈現(xiàn)百花齊放的局面,走出了各具特色的道路,與上市公司一起形成了國(guó)產(chǎn)鍵合設(shè)備的“集團(tuán)軍”優(yōu)勢(shì)。
華卓清科:面向HBM的高端裝備提供商
華卓清科面向HBM芯片制造的核心環(huán)節(jié),自主研發(fā)出多款系列高端裝備,包括混合鍵合設(shè)備(UP-UMA?HB300)、熔融鍵合設(shè)備(UP-UMA?FB300)、芯粒鍵合設(shè)備(UP-D2W-HB)、激光剝離設(shè)備(UP-LLR-300)、激光退火設(shè)備(UP-DLA-300)。公司在高端裝備領(lǐng)域的技術(shù)突破,為國(guó)內(nèi)HBM產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展提供了關(guān)鍵設(shè)備支持,有望在國(guó)產(chǎn)替代中占據(jù)重要地位。
奧芯明:依托ASMPT構(gòu)建本土化鍵合設(shè)備方案
奧芯明作為ASMPT集團(tuán)在中國(guó)設(shè)立的本土品牌,在HBM關(guān)鍵工藝上,正依托ASMPT成熟的FIREBIRD系列熱壓鍵合平臺(tái),結(jié)合本地客戶在工藝開發(fā)階段的特殊需求,優(yōu)化助焊劑控制、鍵合力學(xué)參數(shù)與多芯片協(xié)同貼合策略。同時(shí),奧芯明也在推動(dòng)下一代混合鍵合技術(shù)在中國(guó)市場(chǎng)的量產(chǎn)導(dǎo)入條件,包括本地化設(shè)備調(diào)試團(tuán)隊(duì)、本地供應(yīng)鏈整合,以及針對(duì)中試階段的快速響應(yīng)能力建設(shè)等。
芯慧聯(lián)在2024年11月6日順利出貨首臺(tái)D2W混合鍵合設(shè)備SIRIUS RT300及首臺(tái)W2W混合鍵合設(shè)備CANOPUS RT300。其3DSIXI晶圓混合鍵合設(shè)備適用于CIS、3D NAND、DRAM、先進(jìn)封裝及其他市場(chǎng),具有高度自動(dòng)化和集成化的特點(diǎn)。芯慧聯(lián)通過與百傲化學(xué)等企業(yè)的合作,加速了鍵合設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,為國(guó)內(nèi)鍵合設(shè)備市場(chǎng)注入了新的活力。
青禾晶元在鍵合設(shè)備這一細(xì)分賽道表現(xiàn)亮眼。其產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代并進(jìn)入主流產(chǎn)線,今年發(fā)布的全球首臺(tái)獨(dú)立研發(fā)C2W&W2W雙模式混合鍵合設(shè)備SAB82CWW系列,已陸續(xù)完成交付并通過市場(chǎng)驗(yàn)證。該設(shè)備在存儲(chǔ)器、Micro-LED顯示、CMOS圖像傳感器、光電集成等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用前景。
艾科瑞思(ACCURACY)曾2023年發(fā)布D2W混合鍵合設(shè)備,成為首個(gè)被Yole報(bào)告收錄的中國(guó)D2W設(shè)備供應(yīng)商。
普萊信智能與客戶聯(lián)合開發(fā)了Loong系列TCB設(shè)備,兼容晶圓級(jí)(12英寸)、板級(jí)(620×620mm)封裝,支持HBM堆疊等全流程工藝。
這種多元主體協(xié)同發(fā)展的格局,構(gòu)建了從核心零部件到整機(jī)系統(tǒng)的國(guó)產(chǎn)化鏈條。上市公司憑借資本運(yùn)作能力與量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),承接下游大規(guī)模訂單;非上市企業(yè)則聚焦前沿技術(shù)研發(fā),突破技術(shù)封鎖。兩者形成的互補(bǔ)效應(yīng),加速了國(guó)產(chǎn)鍵合設(shè)備的技術(shù)迭代與市場(chǎng)滲透,為應(yīng)對(duì)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)提供了產(chǎn)業(yè)縱深。
盡管國(guó)產(chǎn)鍵合設(shè)備在技術(shù)與市場(chǎng)上取得初步突破,但仍面臨諸多挑戰(zhàn)。技術(shù)差距方面,在對(duì)準(zhǔn)精度、吞吐量、工藝穩(wěn)定性等方面仍落后于國(guó)際領(lǐng)先水平;商業(yè)化應(yīng)用方面,半導(dǎo)體設(shè)備驗(yàn)證周期長(zhǎng),客戶對(duì)國(guó)產(chǎn)設(shè)備持謹(jǐn)慎態(tài)度,商業(yè)化應(yīng)用進(jìn)展緩慢;在供應(yīng)鏈方面,部分核心零部件仍依賴進(jìn)口。隨著國(guó)家“十四五”半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策支持力度加大,以及AI、汽車電子、數(shù)據(jù)中心等下游需求持續(xù)爆發(fā),相信國(guó)產(chǎn)鍵合設(shè)備企業(yè)有望在技術(shù)迭代與市場(chǎng)拓展中逐步縮小與國(guó)際巨頭的差距。
結(jié)語
盡管國(guó)產(chǎn)鍵合設(shè)備已取得階段性突破,但行業(yè)發(fā)展仍面臨多重挑戰(zhàn)。核心零部件方面,高精度導(dǎo)軌、真空系統(tǒng)等關(guān)鍵部件仍依賴進(jìn)口,部分核心材料存在“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn);技術(shù)層面,混合鍵合的大面積無缺陷鍵合、納米級(jí)對(duì)準(zhǔn)精度控制等難題仍需持續(xù)攻關(guān);市場(chǎng)層面,國(guó)際巨頭通過專利布局形成技術(shù)壁壘,國(guó)內(nèi)企業(yè)需突破客戶驗(yàn)證的“最后一公里”。
從發(fā)展前景看,國(guó)產(chǎn)鍵合設(shè)備正迎來政策、市場(chǎng)、技術(shù)的三重利好共振長(zhǎng)期來看,隨著AI技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)與先進(jìn)封裝的深度滲透,鍵合設(shè)備市場(chǎng)將保持高景氣度。A股上市公司通過差異化布局與持續(xù)研發(fā),有望在未來3-5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)從“單點(diǎn)突破”到“全面替代”的跨越,在全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)格局中占據(jù)重要一極。對(duì)于投資者而言,那些在混合鍵合、TCB等高端領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破,并已進(jìn)入頭部客戶供應(yīng)鏈的企業(yè),將具備更強(qiáng)的成長(zhǎng)確定性。