據(jù)多家行業(yè)媒體援引知情人士近日消息，中芯國際（SMIC）已開始對首款國產(chǎn)深紫外（DUV）光刻機進行評估和測試。

據(jù)悉，中芯國際正在測試的深紫外線（DUV）光刻機由上海初創(chuàng)公司宇量昇生產(chǎn)，采用浸沒式技術(shù)，類似于ASML所采用的技術(shù)。這臺國產(chǎn)的28納米（nm）DUV光刻機，可利用“多重曝光技術(shù)”生產(chǎn)7納米芯片，即在沒有EUV光刻機的情況下，通過多次光刻實現(xiàn)更精細線路圖案的折中方案。

光刻機被譽為半導(dǎo)體制造的“皇冠明珠”，其技術(shù)水平直接決定了芯片的制程工藝和性能。目前，最先進的極紫外（EUV）光刻機由荷蘭ASML公司壟斷，用于7納米及以下先進制程的生產(chǎn)。然而，對于更廣泛的成熟制程市場——包括28納米、40納米乃至部分14/12納米節(jié)點——深紫外（DUV）光刻機（主要指ArF干式和浸沒式光刻機）才是真正的“主力軍”。

這些成熟制程芯片廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)、消費電子、電源管理等領(lǐng)域，市場需求巨大且穩(wěn)定。長期以來，中國在DUV光刻機領(lǐng)域也嚴重依賴進口，主要供應(yīng)商同樣是ASML。盡管美國等國家的出口管制主要針對EUV和最先進的DUV設(shè)備，但對成熟制程設(shè)備的獲取也時常受到限制或延遲，給中國的芯片產(chǎn)能擴張帶來了不確定性。

知情人士透露，中芯國際試用的這類設(shè)備也能被推向極限以生產(chǎn)5納米處理器，但良率會偏低，無法再進一步制造更先進的產(chǎn)品。不過，在美國出口管制政策下，即使用EUV光刻機多重曝光工藝良率低、成本高，但至少還有選擇。

目前尚不清楚該光刻機是否及何時能夠用于高端芯片的量產(chǎn)。但毫無疑問，成功研發(fā)并量產(chǎn)國產(chǎn)DUV光刻機，對于保障中國龐大的成熟制程芯片供應(yīng)鏈安全、提升產(chǎn)業(yè)鏈韌性具有至關(guān)重要的戰(zhàn)略意義。

 

責(zé)編：Jimmy.zhang