在電子設(shè)備的世界里，芯片如同精密的 “心臟”，驅(qū)動(dòng)著整個(gè)系統(tǒng)的高效運(yùn)轉(zhuǎn)。對(duì)于眾多工程師和電子產(chǎn)品制造商而言，尋找性能卓越且適配的芯片至關(guān)重要。今天，我們要為大家介紹一款來(lái)自杰盛微半導(dǎo)體的明星產(chǎn)品 ——JSM2113STR，它在眾多方面展現(xiàn)出超越經(jīng)典芯片 IR2113 的實(shí)力，成為理想的替代方案。

一、產(chǎn)品概述

JSM2113S是一款高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片，采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成。具有獨(dú)立的高、低側(cè)傳輸通道JSM2113S的邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平，輸出具有大電流脈沖能力，其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達(dá)700V。

JSM2113S內(nèi)部集成高低側(cè)shutdown邏輯，可用于故障條件下的通斷關(guān)斷。JSM2113S采用寬體SOP-16(W)封裝，可以在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)工作。

二、核心產(chǎn)品特性

• 自舉工作的浮動(dòng)通道

• 最高工作電壓可達(dá) 700 V

• 兼容 3.3V、5V 和 15V輸入邏輯

• dVs/dt 耐受能力可達(dá)±50 Vhnsec

• Vs負(fù)偏壓能力達(dá)-9V

• 柵極驅(qū)動(dòng)電范圍 10 V-20V

• 寬溫度范圍-40~125°C

• 集成欠壓鎖定功能

• 周期性邊緣觸發(fā)關(guān)斷邏輯

• 輸入輸出同相位

• 邏輯和電源地±5V 偏移

• 芯片開(kāi)通關(guān)斷延時(shí)特性

  - Ton/Toff =130ns/130ns

  -高低側(cè)廷時(shí)匹配

• 驅(qū)動(dòng)電流能力:

  --拉電流/灌電流=4.0A/4.0A

• 高、低側(cè)欠壓鎖定電路

  --欠壓鎖定正向閩值8.9V

  --欠壓鎖定負(fù)向閩值 8.2V

• 符合 RoSH 標(biāo)準(zhǔn)

• SOP-16 (W)

三、核心產(chǎn)品特性

3.1 電壓與邏輯兼容性

• 輸入邏輯：兼容3.3V、5V、15V CMOS 或 LSTTL 邏輯輸出電平

• 電壓耐受：最高工作電壓700V，dVs/dt 耐受能力達(dá) **+50V/nsec**，Vs 負(fù)偏壓能力達(dá) **-9V**

• 電源電壓：邏輯電源（VDD）范圍為 Vss+3V 至 Vss+25V，低側(cè)電源（VCC）推薦工作范圍10V-20V

3.2 功能集成

• 保護(hù)功能：集成高低側(cè) shutdown 邏輯（故障時(shí)關(guān)斷）、欠壓鎖定功能（VCC 欠壓正向閾值 8.9V、負(fù)向閾值 8.2V；VB 欠壓正向閾值 8.9V、負(fù)向閾值 8.2V，遲滯均為 0.7V）

• 時(shí)序特性：輸入輸出同相位，周期性邊緣觸發(fā)關(guān)斷邏輯；開(kāi)通 / 關(guān)斷延時(shí)（Ton/Toff）均為130ns，高低側(cè)延時(shí)匹配最大10ns；上升時(shí)間（tR）25-35ns，下降時(shí)間（tF）約 17ns

3.3 電流特性

• 輸出電流：驅(qū)動(dòng)電流能力為拉電流 4.0A / 灌電流 4.0A

• 靜態(tài)電流：高側(cè)浮動(dòng)電源靜態(tài)電流（IoBS）典型 70μA、最大 120μA；低側(cè)電源靜態(tài)電流（Iocc）典型 120μA、最大 240μA；邏輯電源靜態(tài)電流（IQCD）典型 15μA；高側(cè)浮動(dòng)電源泄漏電流（ILK）最大 50μA（VB=VS=700V 時(shí)）

四、引腳功能描述

極限工作范圍

五、應(yīng)用范圍

• 通用逆變器

• 交流和直流電源中的半橋和全橋轉(zhuǎn)換器

• 用于服務(wù)器、電信、IT 和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的高密度開(kāi)關(guān)電源

• 太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和 UPS（不間斷電源）

六、JSM2113STR：性能參數(shù)全方位對(duì)比 IR2113

（一）更高的耐壓能力

IR2113 的最高工作電壓為 600V，而 JSM2113STR 的浮地通道最高工作電壓可達(dá) 700V。在一些對(duì)電壓要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景中，如高壓電力轉(zhuǎn)換、工業(yè)逆變器等，JSM2113STR 能夠承受更高的電壓，確保設(shè)備在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，大大提高了系統(tǒng)的可靠性和適應(yīng)性。

（二）更強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)電流

IR2113 的輸出拉電流和灌電流典型值為 2.5A，而 JSM2113STR 的輸出拉電流和灌電流均達(dá)到 4.0A。在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 或 IGBT 時(shí)，更大的驅(qū)動(dòng)電流意味著能夠更快地對(duì)柵極電容進(jìn)行充放電，從而實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度，降低開(kāi)關(guān)損耗，提高系統(tǒng)的效率。例如在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，更高的驅(qū)動(dòng)電流可以讓電機(jī)響應(yīng)更加迅速，運(yùn)行更加平穩(wěn)。

（三）更寬的邏輯輸入兼容

IR2113 邏輯兼容 3.3V，而 JSM2113STR 的邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯輸出電平，同時(shí)還能兼容 5V 和 15V 的輸入邏輯。這使得 JSM2113STR 在與不同邏輯電平的控制芯片連接時(shí)更加靈活，無(wú)論是低電壓的微控制器系統(tǒng)，還是較高電壓的邏輯電路，都能輕松適配，大大減少了系統(tǒng)設(shè)計(jì)過(guò)程中的電平轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)，降低了設(shè)計(jì)成本和復(fù)雜性。

（四）出色的抗干擾能力

JSM2113STR 的 dVs/dt 耐受能力可達(dá) ±50V/nsec，Vs 負(fù)偏壓能力達(dá) - 9V，相比之下，IR2113 在這方面未明確給出如此出色的參數(shù)。在實(shí)際應(yīng)用中，尤其是在一些電磁環(huán)境復(fù)雜的場(chǎng)合，如工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)、開(kāi)關(guān)電源附近等，JSM2113STR 能夠更好地抵抗電壓的快速變化和負(fù)偏壓干擾，保證芯片的正常工作，減少誤動(dòng)作的發(fā)生。

（五）集成豐富保護(hù)功能

JSM2113STR 內(nèi)部集成了高低側(cè) shutdown 邏輯，可用于故障條件下的快速通斷關(guān)斷，同時(shí)還具備欠壓鎖定功能。VCC 欠壓正向閾值為 8.9V，負(fù)向閾值為 8.2V；VB 欠壓正向閾值為 8.9V，負(fù)向閾值為 8.2V，遲滯均為 0.7V。而 IR2113 雖有雙通道欠壓鎖定，但在整體保護(hù)功能的豐富性和參數(shù)設(shè)置的合理性上，JSM2113STR 更具優(yōu)勢(shì)。這些保護(hù)功能能夠在系統(tǒng)出現(xiàn)異常時(shí)迅速動(dòng)作，保護(hù)芯片和后端負(fù)載，大大提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

選擇 JSM2113STR，選擇更優(yōu)解決方案

從性能參數(shù)到實(shí)際應(yīng)用，JSM2113STR 都展現(xiàn)出了超越 IR2113 的實(shí)力。對(duì)于正在使用 IR2113 的工程師和制造商來(lái)說(shuō)，JSM2113STR 無(wú)疑是一個(gè)升級(jí)換代的絕佳選擇。它不僅能夠提升產(chǎn)品的性能和可靠性，還能在一定程度上降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和成本。

杰盛微半導(dǎo)體還為客戶提供完善的技術(shù)支持。無(wú)論是免費(fèi)申請(qǐng)樣品（新客戶專享），還是提供參考設(shè)計(jì)及開(kāi)發(fā)工具，亦或是資深 FAE 團(tuán)隊(duì)一對(duì)一的支持，都能幫助客戶快速將 JSM2113STR 導(dǎo)入設(shè)計(jì)，縮短產(chǎn)品的研發(fā)周期。

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在芯片技術(shù)不斷發(fā)展的今天，杰盛微半導(dǎo)體的 JSM2113STR 正以其卓越的性能和完善的服務(wù)，為電子設(shè)備行業(yè)帶來(lái)新的活力。選擇 JSM2113STR，就是選擇更高效、更可靠、更具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。讓我們攜手杰盛微，共同開(kāi)啟電子設(shè)備的創(chuàng)新之旅。