盡管之前的嘗試面臨重重障礙，但韓國三星仍在全力以赴，試圖利用其下一代HBM4工藝贏得英偉達的信任和訂單。

9月5日消息，據(jù)韓國媒體報道，三星已準備好與SK海力士和美光科技等公司展開“價格戰(zhàn)”，特別是向英偉達提供具有競爭力的HBM4定價，以切入這家AI巨頭的供應鏈。

作為全球半導體行業(yè)的領軍企業(yè)，三星雖在DRAM領域擁有深厚積累，但在HBM這一AI核心組件上卻屢屢受挫——此前未能獲得英偉達的HBM3E供應資質(zhì)，導致其在HBM市場的份額從2023年上半年的41%暴跌至2024年同期的17%，被SK海力士（62%）、美光（21%）遠遠甩開。

此次針對HBM4的“破局”行動，不僅是三星重奪HBM市場領導地位的關鍵，更是其應對AI時代業(yè)務增長瓶頸的“背水一戰(zhàn)”。

為打動英偉達，三星祭出“價格戰(zhàn)”這一“殺手锏”。消息顯示，三星計劃向英偉達提供的HBM4價格將比競爭對手低20%-30%，甚至愿意犧牲短期利潤率以換取訂單。

英偉達作為全球最大的HBM客戶（其AI芯片需求占HBM市場的約60%），希望通過引入多家供應商來降低對SK海力士的依賴（SK海力士目前是英偉達HBM3E的獨家供應商），并壓低采購成本。

此前消息，SK海力士的HBM4工藝價格“溢價”，比HBM3E工藝高出30%-40%。而三星的低價策略恰好契合英偉達的需求——通過引入競爭，打破SK海力士的壟斷地位，同時為自身爭取更有利的供應條件。

在技術(shù)層面，三星已提前布局1c DRAM技術(shù)（第六代DRAM），這是其HBM4產(chǎn)品的核心優(yōu)勢——相比SK海力士、美光采用的1b工藝，1c DRAM能顯著提升內(nèi)存帶寬與能效，更適合AI處理器的高數(shù)據(jù)處理需求。

此外，三星已獲得ASML的High-NA EUV光刻機，這一先進設備將助力其提升HBM4的良率（目前HBM4良率已達50%-70%，較去年末的30%大幅提升），確保產(chǎn)品質(zhì)量滿足英偉達的嚴格要求。

在產(chǎn)能方面，三星計劃大幅提升HBM4的產(chǎn)能，以滿足英偉達的大批量訂單需求。其位于韓國平澤的工廠已啟動HBM4的預生產(chǎn)流程，預計2025年底或2026年初實現(xiàn)量產(chǎn)。充足的產(chǎn)能不僅能保障供應穩(wěn)定性，還能通過規(guī)模效應進一步降低成本，為價格戰(zhàn)提供持續(xù)支撐。

今年7月，三星的HBM4工藝交付給NVIDIA進行樣品測試，并已通過“初始原型和質(zhì)量測試”。預計，三星HBM4有望在11月前實現(xiàn)量產(chǎn)。

由于三星最近幾個季度業(yè)績低迷，獲得認證對三星HBM業(yè)務而言是一個至關重要的突破，而加入英偉達的供應鏈或許能為其帶來復蘇。不過，三星能否獲得英偉達訂單或多大數(shù)量訂單，還存在不確定性，其畢竟仍是英偉達與SK海力士價格談判的籌碼，而非唯一選擇。