近日消息，三星正積極從ASML引進(jìn)更多高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)，并計(jì)劃將其融入本地生產(chǎn)體系。盡管這些設(shè)備價(jià)格高昂，但三星此舉意在為公司帶來關(guān)鍵優(yōu)勢，尤其是加速2nm GAA晶圓的生產(chǎn)進(jìn)程。

2025年初，三星引進(jìn)了首臺(tái)ASML的High-NAEUV光刻機(jī)（如EXE:5000）。該設(shè)備價(jià)值約5000億韓元（約24.88億元人民幣），并計(jì)劃將其用于2nm及以下制程的制造。該設(shè)備的數(shù)值孔徑提升至0.55，能夠?qū)崿F(xiàn)更窄的電路線寬，從而降低功耗并提升芯片性能，是實(shí)現(xiàn)2nm及以下制程的關(guān)鍵設(shè)備。

不過，由于ASML的高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)成本高昂，即使臺(tái)積電也不確定是否要升級(jí)采用這類設(shè)備，畢竟其現(xiàn)有設(shè)備有能力過渡到1.4納米制程。

然而，有外媒報(bào)道稱，三星斥巨資購置這些設(shè)備的目的是為了在2納米GAA制程中占據(jù)優(yōu)勢。幾個(gè)月前，這家韓國巨頭在Exynos2600芯片的測試中，上述光刻技術(shù)的良率達(dá)到了30%。

臺(tái)積電作為全球晶圓代工市場的領(lǐng)導(dǎo)者，在先進(jìn)制程工藝方面一直保持著領(lǐng)先地位。此前，在3納米芯片工藝上，三星全面落后于臺(tái)積電，無論是芯片良率，還是客戶導(dǎo)入上。

目前，臺(tái)積電在2納米節(jié)點(diǎn)首次采用全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管技術(shù)，徹底告別了FinFET時(shí)代，在同等功耗下性能提升10~15%，或在同頻下功耗下降25~30%，晶體管密度再增15%。這是全球首次把GAAFET推進(jìn)到量產(chǎn)級(jí)別，技術(shù)難度與資本開支均以“百億美元”為單位。

據(jù)悉，臺(tái)積電2納米制程芯片的初始月產(chǎn)能將集中在臺(tái)灣新竹寶山與高雄兩座工廠，2025年底月產(chǎn)能可達(dá)到4.5萬~5萬片左右，并計(jì)劃在2026年將月產(chǎn)能提升到10萬片以上。

與此同時(shí)，臺(tái)積電擁有眾多高端客戶，包括蘋果、高通、AMD等。這些客戶對先進(jìn)制程芯片的需求旺盛，為臺(tái)積電提供了穩(wěn)定的訂單來源。三星雖然也擁有一些高端客戶，但在客戶基礎(chǔ)方面遠(yuǎn)不如臺(tái)積電。

值得一提的是，今年7月，三星電子與特斯拉達(dá)成165億美元芯片制造協(xié)議，將采用2納米芯片工藝生產(chǎn)特斯拉下一代核心芯片“AI6”，為三星2納米芯片產(chǎn)能擴(kuò)張給予了客戶支持。

此外，三星已確認(rèn)Exynos 2600將是該公司首款2nm GAA芯片組，而且最近又有報(bào)道稱這款旗艦級(jí)SoC已開始量產(chǎn)。這是否意味著三星2nm GAA芯片工藝良率在近期又得到大幅提升？

根據(jù)一些行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，即使三星在財(cái)務(wù)上允許，但其2納米芯片工藝良率至少需要達(dá)到70%，才能具備規(guī)?；慨a(chǎn)的經(jīng)濟(jì)效益。

而如今，三星希望利用高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)在2納米上扳回一局，特別是采購更多相關(guān)設(shè)備，就是希望最大限度地減少損失、提高良率，以便能夠大規(guī)模生產(chǎn)自有芯片，同時(shí)向業(yè)界證明其在芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先地位能夠與臺(tái)積電相媲美。