當(dāng)傳統(tǒng)制程微縮逼近物理極限，芯片巨頭們正在另一條賽道加速?zèng)_刺——垂直方向。Counterpoint Research最新報(bào)告指出，混合鍵合（Hybrid Bonding） 技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)“單顆芯片一萬(wàn)億晶體管”目標(biāo)的關(guān)鍵跳板。當(dāng)前先進(jìn)封裝雖提高了I/O密度，但愈發(fā)復(fù)雜的異構(gòu)設(shè)計(jì)與Chiplet架構(gòu)對(duì)I/O數(shù)量、延遲提出了更高要求，以滿足AI、5G和高性能計(jì)算等應(yīng)用?；旌湘I合互連技術(shù)正成為關(guān)鍵突破口，它可顯著降低能耗、擴(kuò)大帶寬、優(yōu)化熱管理，從而助力摩爾定律繼續(xù)前行。

Counterpoint Research指出，隨著半導(dǎo)體行業(yè)迅速轉(zhuǎn)向3D集成，混合鍵合技術(shù)將成為推動(dòng)下一代高性能計(jì)算（HPC）和AI加速器先進(jìn)封裝解決方案的主要驅(qū)動(dòng)力。當(dāng)前，混合鍵合技術(shù)已在3D Co-Packaged Optics、高帶寬內(nèi)存（HBM）和3D DRAM等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力，通過(guò)提供超密集、低損耗的互連，顯著提升性能、效率和微型化水平。

數(shù)據(jù)顯示，目前市場(chǎng)上對(duì)混合鍵合技術(shù)的需求正急劇增長(zhǎng)，特別是在AI、5G和HPC應(yīng)用中，混合鍵合技術(shù)因其顯著的節(jié)能、帶寬增強(qiáng)和熱管理優(yōu)勢(shì)，成為滿足高I/O密度和低延遲需求的關(guān)鍵解決方案。預(yù)計(jì)未來(lái)幾年，混合鍵合技術(shù)的市場(chǎng)規(guī)模將大幅擴(kuò)張，成為支撐摩爾定律持續(xù)發(fā)展的核心力量。

Counterpoint Research此前預(yù)測(cè)，混合鍵合技術(shù)將在2025年前后實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用，推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入一個(gè)新的增長(zhǎng)階段。其他機(jī)構(gòu)如國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖（ITRS）也預(yù)測(cè)，混合鍵合技術(shù)將成為未來(lái)十年內(nèi)半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的主流技術(shù)之一，助力實(shí)現(xiàn)更高性能和更低功耗的芯片設(shè)計(jì)。