MDD肖特基整流橋因其低正向壓降、高速開關(guān)特性和良好的導(dǎo)通能力，廣泛應(yīng)用于電源適配器、LED驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載電源等中低壓、高頻整流場(chǎng)合。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師常常會(huì)遇到肖特基整流橋失效的問題，如溫升過高、反向漏電流異常、器件擊穿等。本文將系統(tǒng)解析肖特基整流橋的三大典型失效模式及其背后的機(jī)理，并提出具體的設(shè)計(jì)與使用建議，助力提升電路的穩(wěn)定性與可靠性。

一、失效模式一：溫升過高導(dǎo)致熱失效

表現(xiàn)形式：

器件溫度持續(xù)升高至超出結(jié)溫極限，導(dǎo)致焊點(diǎn)脫落、封裝開裂、熱擊穿甚至引發(fā)整流橋短路。

根本原因：

導(dǎo)通損耗大：雖然肖特基二極管正向壓降（VF）相對(duì)較低（約0.3V~0.5V），但在大電流應(yīng)用中（如>10A），其P=VF×I的熱耗依然顯著。

散熱設(shè)計(jì)不足：未使用足夠銅箔面積或未配散熱器，導(dǎo)致器件內(nèi)部溫度迅速上升。

環(huán)境溫度高：尤其在封閉電源、LED燈具、電動(dòng)車控制器等高溫工作環(huán)境中，更容易溫升疊加。

工程應(yīng)對(duì)：

在PCB設(shè)計(jì)中加強(qiáng)銅箔散熱路徑（推薦面積>1 cm2/A）；

選用大封裝、帶散熱片型號(hào)（如TO-220、GBJ封裝）；

降額設(shè)計(jì)，確保工作電流不超過器件額定值的70~80%；

加入熱敏電阻（NTC）或溫度保護(hù)器件進(jìn)行過溫保護(hù)。

二、失效模式二：反向漏電流增大

表現(xiàn)形式：

電路中出現(xiàn)持續(xù)性的漏電流，導(dǎo)致輸出電壓漂移、系統(tǒng)待機(jī)功耗增大，甚至觸發(fā)保護(hù)機(jī)制。

根本原因：

肖特基結(jié)構(gòu)決定了其天然高漏電：金屬-半導(dǎo)體結(jié)不像PN結(jié)那樣有強(qiáng)烈的阻斷能力，反向漏電流本身就比普通二極管高1~2個(gè)數(shù)量級(jí)。

工作溫度升高：漏電流呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，每升高10°C，漏電流可能翻倍；

反向電壓接近極限：長(zhǎng)時(shí)間工作在接近最大反向電壓（VRRM）狀態(tài)，易使結(jié)面退化或微擊穿。

工程應(yīng)對(duì)：

適當(dāng)加大安全裕度，選用VRRM≥實(shí)際應(yīng)用電壓×1.3的型號(hào)；

避免將肖特基整流橋應(yīng)用于高溫+高反壓環(huán)境，可使用快恢復(fù)二極管替代；

加入RC吸收回路或TVS，緩解反向浪涌沖擊；

檢查PCB中是否存在泄露路徑，導(dǎo)致漏電誤判。

三、失效模式三：反向擊穿或浪涌燒毀

表現(xiàn)形式：

器件內(nèi)部發(fā)生永久性擊穿，形成反向短路路徑，電源輸出異常甚至整機(jī)無法啟動(dòng)。

根本原因：

浪涌電流或反向電壓瞬態(tài)超過極限值；

器件并聯(lián)使用不均流，個(gè)別先擊穿；

外部防護(hù)措施缺失，如未加TVS或保險(xiǎn)絲。

工程應(yīng)對(duì)：

加入TVS管、浪涌吸收器、電容緩沖等電路防護(hù)；

合理選擇肖特基整流橋封裝與額定浪涌電流能力（IFSM）；

避免器件直接并聯(lián)，或增加均流電阻；

考慮應(yīng)用環(huán)境的浪涌特性，評(píng)估電網(wǎng)波動(dòng)、電機(jī)感應(yīng)回饋等因素對(duì)器件的沖擊。

四、設(shè)計(jì)建議與選型要點(diǎn)總結(jié)

MDD肖特基整流橋雖體積小巧，但在實(shí)際系統(tǒng)設(shè)計(jì)中卻肩負(fù)起穩(wěn)定輸出與提升能效的關(guān)鍵職責(zé)。然而，如果忽視其特性限制和熱管理問題，也極易引發(fā)失效隱患。作為FAE，我們應(yīng)深入理解其溫升、漏電、擊穿三大失效機(jī)制，在選型、散熱、布局與防護(hù)等層面做出合理預(yù)判與優(yōu)化設(shè)計(jì)，才能真正發(fā)揮肖特基整流橋的性能優(yōu)勢(shì)，為電源系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行保駕護(hù)航。