在實際電源設(shè)計中，整流橋作為AC-DC轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)的核心器件，其輸入端常常面臨較大的浪涌電流沖擊，尤其是在首次上電、電源開關(guān)切換或突變負載時，浪涌電流可能達到數(shù)十甚至上百安培。如果前級設(shè)計不當(dāng)，不僅會導(dǎo)致整流橋內(nèi)部二極管結(jié)溫飆升、封裝受損，甚至直接燒毀，還會引發(fā)輸入電容爆炸、電路跳閘等嚴(yán)重后果。因此，做好整流橋前級的浪涌電流保護，是保障系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵。

一、浪涌電流從哪里來？

在傳統(tǒng)的AC-DC電源中，整流橋后通常并接有大容量電解電容（如100μF~470μF），用于濾波穩(wěn)壓。當(dāng)設(shè)備初次通電時，這些電容從0V電壓開始充電，整流橋必須承擔(dān)整個充電電流。由于電容起始內(nèi)阻極小，導(dǎo)致充電電流瞬間暴增，形成浪涌電流（Inrush Current）。這個電流值遠高于正常運行時的平均整流電流，若沒有任何限制手段，將嚴(yán)重威脅整流橋的耐受能力。

二、常見浪涌保護手段

NTC熱敏電阻

在整流橋輸入端串聯(lián)一個NTC（負溫度系數(shù)）熱敏電阻是最常見的做法。其在冷態(tài)時電阻較高（幾歐姆至幾十歐姆），限制初次通電時的浪涌電流。隨著溫度升高，阻值下降，不影響后續(xù)正常供電。NTC選型需考慮最大浪涌抑制能力、熱容量與壽命限制。

繼電器+NTC旁路設(shè)計

為了克服NTC熱敏電阻在高頻開關(guān)或連續(xù)通斷下的重復(fù)浪涌抑制不足，可采用繼電器或MOSFET控制的旁路電路。電路啟動初期使用NTC限流，待電容充電完成后由繼電器短接NTC，實現(xiàn)零功耗運行。

延時開通電路

通過延時開通MOSFET或可控硅的方式，在整流橋前設(shè)定一個軟啟動時間窗。適用于較高功率或頻繁啟動的系統(tǒng)，如工業(yè)電源、UPS等。

三、前級設(shè)計注意事項

整流橋浪涌耐受能力（IFSM）評估

查看整流橋規(guī)格書中“浪涌電流峰值（IFSM）”參數(shù)，確認(rèn)其足以承受1~2次預(yù)期啟動浪涌，通常為幾十到數(shù)百安，持續(xù)一個半周或一個周期（8.3ms或10ms）。實際應(yīng)用應(yīng)留足至少1.5倍安全裕度。

前級保險絲選型匹配

不少設(shè)計中忽視了保險絲熔斷特性，在浪涌時造成誤動作。建議使用時間延遲型（slow-blow）保險絲，兼顧浪涌容忍與過流保護。

前級布線寬度與地線設(shè)計

高浪涌電流下，PCB線寬需足夠，走線應(yīng)短而粗，避免高阻抗路徑產(chǎn)生額外壓降及局部發(fā)熱。同時，地線回路要完整可靠，防止引發(fā)EMI問題。

高壓大電容選型與位置布局

濾波電容越大，啟動浪涌越劇烈。在滿足輸出紋波要求的前提下，合理分布多個小電容并聯(lián)代替大電容，配合限流措施，可減緩浪涌影響。同時注意其距離整流橋的布局優(yōu)化，降低瞬態(tài)壓降。

四、實際案例簡述

在某品牌電飯煲電源板設(shè)計中，使用KBP310整流橋（額定3A，IFSM為80A），濾波電容為220μF/400V。實際測試發(fā)現(xiàn)，無限流措施下上電瞬間浪涌超過70A，導(dǎo)致整流橋燒毀。后采用5D-9 NTC串聯(lián)限流，配合時間延遲型保險絲，系統(tǒng)啟動平穩(wěn)，成功解決問題。

浪涌電流雖為瞬態(tài)現(xiàn)象，但其能量密度極高，對整流橋等前級元器件是一次嚴(yán)峻考驗。工程師在整流橋選型時，不僅要關(guān)注其平均整流電流能力，更要重視浪涌電流耐受力，并通過有效的限流電路、合理的PCB布局和保護設(shè)計，共同構(gòu)建一個可靠耐用的電源前端系統(tǒng)。