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【國產替代】ARK(方舟微)DMZ42C10S 完美替代 英飛凌BSS169

2025-03-06 來源: 作者:成都方舟微電子有限公司 原創(chuàng)文章
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【國產替代ARK(方舟微)DMZ42C10S 完美替代 英飛凌BSS169

 

1、 DMZ42C10S產品簡述

DMZ42C10SARK(方舟微)研發(fā)的一款耐壓100VN溝道耗盡型MOSFET產品,該產品性能優(yōu)異,可靠性高,且參數(shù)定義范圍InfineonBSS169基本一致。BSS169,DMZ42C10S具有更低的導通電阻,以及更大的電流能力,可以對BSS169實現(xiàn)Pin-to-Pin完美替代。

2、DMZ42C10S與BSS169對比

1) 封裝形式對比

         

1. DMZ42C10S封裝類型及電極腳位              圖2. BSS169封裝類型及電極腳位

DMZ42C10S和BSS169均為SOT-23封裝,且D、G、S電極分布完全一致。

2) 主要靜態(tài)參數(shù)定義范圍對比

Item

BVDS

VGS(OFF)

ID(OFF)

IGSS

RDS(on)

RDS(on)

IDSS(Min)

Test condition

VGS=-10V,

ID=250uA

VDS=3V,

ID=50uA

VDS=100V,

VGS=-10V

VGS=20V,

VDS=0V

VGS=0V,

ID=50mA

VGS=10V,

ID=190mA

VGS=0V,

VDS=10V

DMX42C10S

100V

-2.9V-1.8V

0.1uA

10nA

Type: 1.2Ω

90mA

BSS169

100V

-2.9V-1.8V

0.1uA

10nA

12Ω

Type: 2.9Ω

90mA

*上述數(shù)據(jù)來源于兩款產品的數(shù)據(jù)手冊。

DMX42C10S各項參數(shù)的定義范圍與BSS169基本一致。

3) 樣品參數(shù)實測對比

Item

IGSSR

IGSS

ID(OFF)

BVDSS

VGS(Off)

RDS(ON)

IDSS

Test condition

VGS=-20V

VGS=20V

VDS=100V

IDS=250uA

ID=50uA

IDS=50mA

VDS=10V

VDS=0V

VDS=0V

VSG=10V

VSG=10V

VDS=3V

VG=0V

VGS=0V

DMZ42C10S

0.208nA

0.203nA

0.002uA

114.6V

-2.4V

1.78Ω

530.6mA

BSS169

0.375nA

0.438nA

0.002uA

149.8V

-2.1V

5.93Ω

217.3mA

DMZ42C10S具體更低的導通電阻和更大的電流能力,BSS169的實際耐壓高于DMZ42C10S(注:ARK方舟微已經開發(fā)出了實際擊穿電壓與BSS169相近的升級款產品,后續(xù)即將推出)。

3、耗盡型MOSFET產品在應用中對標的主要特點說明

耗盡型MOSFET在絕大多數(shù)應用中,都是工作在亞閾值狀態(tài)下(即柵-源電壓VGS滿足:VGS(OFF)VGS0V),此時耗盡型MOSFET的參數(shù)具有如下特點:

a. 導通電阻RDS(ON):亞閾狀態(tài)下導通電阻是變化的,且會明顯超過VGS=0V時的電阻值(規(guī)格書中給出的電阻參數(shù));但是當MOSFET工作在直通狀態(tài)時,導通電阻越小,則會帶來更低的電壓降,且相應具有更大的電流能力。

b. 閾值電壓VGS(OFF):只需要滿足電路驅動電源要求以及電路參數(shù)要求即可,如搭配運放使用時,只要符合運放的驅動輸出范圍即可;如搭配電阻實現(xiàn)限流的應用,通過調節(jié)限流電阻的阻值,也可以使用不同阻值的電阻達到相近的限流需求。因此,不一定需要完全一樣的閾值電壓參數(shù)才能實現(xiàn)對標替代;

c. 電流參數(shù):一般主要關注耗盡型MOSFET在一定柵極偏壓下的飽和電流大?。ㄏ鄬C合的參數(shù))是否能滿足電流的電流需求,飽和電流越大,則越能適配大電流下的應用。

因此,對于耗盡型MOSFET的替代選型,通?!皡?shù)是否一模一樣”并不是對標選型的固定標準。

4、DMZ42C10S的典型應用方案介紹

a. DAC芯片/傳感器調理芯片供電并提供過壓保護

DMZ42C10S適合用于傳感器、智能變送器中,給DAC芯片、傳感器調理芯片供電,并為負載電路提供浪涌防護,典型應用電路如下:

3. DMZ42C10S給AD421供電及提供過壓保護的典型電路方案

b. 恒流/限流應用

DMZ42C10S適合用于構建簡易恒流源,以及用于構建限流單元實現(xiàn)過流保護,典型應用方案如下:

3.DMZ42C10S用于構建恒流及限流保護單元的典型方案

17412436310004b07.pdf




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