Rambus Inc.作為業(yè)界領先的芯片和IP核供應商，致力于使數據傳輸更快更安全。今天宣布推出Rambus HBM2E內存接口子系統，該子系統包括一個完全集成的PHY和控制器，在三星先進的14 / 11nm FinFET工藝上經過硅驗證。 通過利用30多年的信號完整性專業(yè)知識，Rambus解決方案的運行速度高達3.2 Gbps，可提供410 GB / s的帶寬。 這種性能滿足了TB級帶寬加速器的需求，此類加速器針對性能要求最為嚴苛的AI / ML訓練和高性能計算（HPC）應用。

三星電子設計平臺開發(fā)副總裁Jongshin Shin說：“我們與Rambus的合作將業(yè)界領先的內存接口設計專業(yè)知識與三星最尖端的工藝和封裝技術結合在一起。AI和HPC系統的設計人員可以使用HBM2E內存實現平臺設計，利用三星先進的14 / 11nm工藝，以達到無與倫比的性能水平。”

完全集成的，可投入生產的Rambus HBM2E內存子系統以3.2 Gbps的速度運行，為設計人員在平臺實現上提供了很大的裕量空間。 Rambus和三星合作，通過利用三星的14/11nm工藝和先進的封裝技術對HBM2E PHY和內存控制器IP核進行硅驗證。

Rambus IP部門總經理Matt Jones表示：“由于硅片的運行速度高達3.2 Gbps，客戶可以為自己的設計留出足夠的余地來實現HBM2E存儲器子系統。客戶將受益于我們的全面支持，其中包括2.5D封裝和中介層參考設計提供，有助于確保客戶一次到位成功實現?！?/p>

      Rambus HBM2E內存接口（PHY和控制器）的優(yōu)點：

• 通過單個HBM2E DRAM 3D器件實現每引腳3.2 Gbps的速度，提供410 GB / s的系統帶寬

• 硅HBM2E PHY和控制器完全集成并經過驗證，可降低ASIC設計的復雜性并加快上市時間

• 作為IP授權的一部分，提供包含2.5D封裝和中介層參考設計

• 提供Rambus系統和SI / PI專家的技術支持，幫助ASIC設計人員確保設備和系統的最大信號與電源完整性

• 具有特色的LabStation?開發(fā)環(huán)境，可協助客戶回片后快速點亮系統,校正和偵錯

• 支持高性能應用程序，包括最先進的AI / ML訓練和高性能計算（HPC）系統