季度報告顯示，為了跟上芯片需求持續(xù)增長的步伐，全球半導(dǎo)體制造業(yè)的產(chǎn)能可望在2024年提高6%，2025年提高7%，達(dá)到每月3370萬片晶圓（wpm：8英寸當(dāng)量，下同）的歷史最高產(chǎn)能。

2024年，5納米及以下節(jié)點的前沿產(chǎn)能預(yù)計將增長13%，主要驅(qū)動力是用于數(shù)據(jù)中心訓(xùn)練、推理和前沿設(shè)備的生成式人工智能（AI）。為了提高處理能效，包括英特爾、三星和臺積電在內(nèi)的芯片制造商準(zhǔn)備開始生產(chǎn)2nm全柵極（GAA）芯片，這將使2025年的前沿總產(chǎn)能增長17%。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示："從云計算到邊緣設(shè)備，人工智能處理的普及正在推動高性能芯片的開發(fā)競賽，并推動全球半導(dǎo)體制造產(chǎn)能的強(qiáng)勁擴(kuò)張。"這創(chuàng)造了一個良性循環(huán)：人工智能將推動半導(dǎo)體內(nèi)容在各種應(yīng)用領(lǐng)域的增長，而這反過來又會鼓勵進(jìn)一步的投資。"

各國家/地區(qū)產(chǎn)能擴(kuò)張情況

中國大陸芯片制造商的產(chǎn)能預(yù)計將保持兩位數(shù)增長，繼2024年增長15%至885萬片之后，2025年將增長14%至1010萬片，接近行業(yè)總產(chǎn)能的三分之一。盡管存在超額增長的潛在風(fēng)險，但該地區(qū)仍在繼續(xù)積極投資擴(kuò)大產(chǎn)能，部分原因是為了減輕近期出口管制的影響。包括華虹集團(tuán)、力晶、西安集成、中芯國際和DRAM制造商CXMT在內(nèi)的主要晶圓代工供應(yīng)商都在大力投資，以提高該地區(qū)的半導(dǎo)體制造能力。

預(yù)計到2025年，大多數(shù)其他主要芯片制造地區(qū)的產(chǎn)能增長將不超過5%。預(yù)計2025年中國臺灣的產(chǎn)能將達(dá)到580萬wpm，增長率為4%，位居第二；而韓國預(yù)計明年將位居第三，在2024年首次突破500萬wpm大關(guān)后，產(chǎn)能將擴(kuò)大7%，達(dá)到540萬wpm。日本、美洲、歐洲和中東以及東南亞的半導(dǎo)體生產(chǎn)能力預(yù)計將分別增長470萬wpm（同比增長3%）、320萬wpm（同比增長5%）、270萬wpm（同比增長4%）和180萬wpm（同比增長4%）。

代工、HBM迎產(chǎn)能擴(kuò)張潮

主要受英特爾建立代工業(yè)務(wù)和中國產(chǎn)能擴(kuò)張的推動，代工領(lǐng)域的產(chǎn)能預(yù)計將在2024年和2025年分別增長11%和10%，到2026年達(dá)到1270萬wpm。

為滿足人工智能服務(wù)器對更快處理器不斷增長的需求，高帶寬內(nèi)存（HBM）得到迅速采用，這推動了內(nèi)存領(lǐng)域前所未有的產(chǎn)能增長。人工智能應(yīng)用的爆炸式增長推動了對更密集的HBM堆棧需求的增長。作為回應(yīng)，領(lǐng)先的DRAM制造商正在增加對HBM/DRAM的投資。預(yù)計2024年和2025年DRAM容量都將增長9%。

相比之下，3D NAND市場復(fù)蘇依然緩慢，預(yù)計2024年產(chǎn)能不會增長，2025年預(yù)計增長5%。

邊緣設(shè)備中人工智能應(yīng)用的興起預(yù)計將使主流智能手機(jī)的DRAM容量從8GB增加到12GB，而使用人工智能助手的筆記本電腦將至少需要16GB的DRAM。人工智能向邊緣設(shè)備的擴(kuò)展也將刺激對DRAM的需求。