韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。

韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實現(xiàn)生產(chǎn)正常化的 NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負(fù)荷運行。

報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的。

▲ 三星電子 1bnm 32Gb DDR5 內(nèi)存，屬于通用 DRAM

全球科技企業(yè)近來強化對人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)，向傳統(tǒng)服務(wù)器分配的投資額度相應(yīng)出現(xiàn)大幅減少。而傳統(tǒng)服務(wù)器正是通用 DRAM 訂單的主要來源。

同時近年來各大巨頭服務(wù)器更新周期延長，對先進(jìn)通用 DRAM 的購買量也因此下滑。

而在消費端部分，智能手機和 PC 的出貨量回升出現(xiàn)停滯，有研究機構(gòu)認(rèn)為全年漲幅僅會達(dá) 2~3%。

此前有業(yè)界聲音指出，HBM 內(nèi)存的增產(chǎn)會擠壓到通用 DRAM 的投片量，進(jìn)而在下半年造成通用 DRAM 供應(yīng)緊張。

但有消息人士認(rèn)為，根據(jù)目前態(tài)勢，這種情況很難出現(xiàn)：

今年前六個月韓系通用 DRAM 產(chǎn)線開工率僅提升了 10%，現(xiàn)有水平上仍有提升空間；同時 DRAM 測試企業(yè)收獲的訂單量也沒有出現(xiàn)顯著擴大。