臺積電之前曾說2納米、1.6納米都無需2納米EUV光刻機，不過日前臺積電突然改口了，將采購2納米EUV光刻機，這意味著臺積電在開發(fā)2納米、1.6納米工藝的過程中已遭遇了巨大的困難。

臺積電之前的說法是以現(xiàn)有的EUV光刻機就可以量產(chǎn)2納米、1.6納米，這樣可以降低成本，畢竟2納米EUV光刻機實在太貴了，它的說法曾鼓舞了全球芯片行業(yè)，通過技術(shù)創(chuàng)新可以進一步挖掘EUV光刻機的潛力。

第一代EUV光刻機售價達到1.2億美元，而2納米EUV光刻機售價達到3.8億美元，2納米EUV光刻機的昂貴價格，嚇退了臺積電，因此臺積電試圖以現(xiàn)有的EUV光刻機生產(chǎn)2納米工藝，以降低成本。

臺積電已擁有100多臺第一代EUV光刻機，這些設(shè)備已用于生產(chǎn)7納米、5納米以及去年量產(chǎn)的3納米工藝，如果2納米工藝需要采用2納米光刻機，那么就意味著擁有的100多臺第一代EUV光刻機很快就要被拋棄，臺積電顯然不甘心。

然而如今臺積電改變了說法，就意味著臺積電終究無法通過技術(shù)創(chuàng)新，來利用現(xiàn)有的EUV光刻機生產(chǎn)2納米，將不得不大舉采購2納米EUV光刻機，付出巨額的投資，這讓臺積電頗為無奈。

臺積電在開發(fā)3納米工藝的時候，其實就已發(fā)現(xiàn)第一代EUV光刻機面臨局限，臺積電去年量產(chǎn)的3納米工藝良率僅有55%左右，遠遠無法達到之前5納米、7納米的九成以上的良率，臺積電目前正在進一步改良3納米工藝，希望今年能達到九成以上的良率。

臺積電當(dāng)下的3納米工藝其實已放棄了一些性能，它繼續(xù)沿用了原來的FinFET工藝，而三星則已激進地采用了GAA工藝，F(xiàn)inFET工藝的性能不如GAA工藝，不過GAA工藝難度更大，也導(dǎo)致三星的3納米工藝良率低至兩成，但是沿用FinFET工藝的后果就是生產(chǎn)的蘋果A17處理器性能僅提升一成，這與此前5納米可以提升三成性能差距很大，說明FinFET工藝確實不適合3納米以下工藝。

如此情況下，臺積電在2納米工藝上勢必要引入GAA工藝，進一步加大工藝的開發(fā)難度，繼續(xù)用第一代EUV光刻機生產(chǎn)2納米工藝的困難會更大；對比之下，Intel已大舉采購2納米EUV光刻機，并預(yù)期明年就能量產(chǎn)2納米工藝。

臺積電則希望在2026年量產(chǎn)2納米工藝，如今它發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有的第一代EUV光刻機生產(chǎn)2納米工藝存在巨大的難度，恐怕只能加快采購2納米EUV光刻機了，不過ASML今年量產(chǎn)的10臺2納米EUV光刻機已預(yù)定給Intel了，臺積電的產(chǎn)能規(guī)模極大，明年的2納米光刻機就得搶了。

臺積電的遭遇說明人類技術(shù)有局限，特別是芯片工藝在納米工藝時代都已完全依賴設(shè)備，采用舊設(shè)備生產(chǎn)先進工藝難度太高了，強如臺積電都無法克服機器的極限，這對于中國的芯片企業(yè)希望利用現(xiàn)有的DUV光刻機生產(chǎn)5納米工藝無疑是一大教訓(xùn)，機器的技術(shù)進步實在太重要了。