全球三大存儲芯片企業(yè)都公布了一季度的業(yè)績，業(yè)績顯示他們仍然處于虧損當中，主要原因在于中國并未迅速增加需求，導致全球存儲芯片行業(yè)仍然處于虧損當中，這意味著他們此前聯(lián)手減產漲價的措施并未取得效果。

第一大存儲芯片企業(yè)三星公布的業(yè)績顯示凈利潤暴跌86%，這已是它連續(xù)數(shù)個季度暴跌，利潤暴跌仍然是存儲芯片業(yè)務拖累，它的存儲芯片業(yè)務部門出現(xiàn)34億美元的營業(yè)虧損，創(chuàng)下了14年來的虧損紀錄。

全球第二大存儲芯片企業(yè)則與三星同為韓國企業(yè)的SK海力士，SK海力士凈虧損達到19億美元；第三大存儲芯片企業(yè)則是美國的美光，美光的凈虧損達到23.1億美元，較去年二季度的19億美元擴大了。

為了扭轉虧損，業(yè)內傳出這些存儲芯片企業(yè)聯(lián)手減產、漲價，從去年以來全球存儲芯片價格已回升兩成，然而從他們的業(yè)績可以看出，存儲芯片價格回升并未能扭轉他們虧損的命運，導致如此結果在于全球最大的存儲芯片市場--中國市場并未迅速增加采購量。

中國是全球最大的芯片采購國，中國采購了全球七成的芯片，而采購的存儲芯片占全球市場的份額達到三分之一，從這三大存儲芯片企業(yè)的業(yè)績可以看出，中國并未增加采購量，乃至可能還在減少，導致他們聯(lián)手漲價都未能扭轉虧損。

中國存儲芯片在早幾年已開始起步，2022年中國的存儲芯片更率先量產了232層NAND flash，由此國產存儲芯片市占率一度猛增，給韓美的存儲芯片企業(yè)帶來巨大的壓力。

從2022年下半年以來，全球存儲芯片價格腰斬，不過隨后美國出手，阻止海外先進設備企業(yè)為這兩家中國存儲芯片企業(yè)提供先進設備，導致他們的技術研發(fā)陷入停滯，2023年三星、美光等研發(fā)成功300層NAND flash，重新取得存儲芯片技術主導權。

不過雖然中國的存儲芯片雖然稍微落后，但是由于信息安全等因素的影響，國內企業(yè)市場還是在采用國產存儲芯片，甚至美光還曾被進行安全審查，這對于國內企業(yè)市場影響深遠，為了在中國銷售更多存儲芯片，美光放下了身段，主動與中國一家存儲芯片企業(yè)和解，并派出高管訪華。

存儲芯片與手機芯片、CPU、服務器等芯片行業(yè)有很大的不同，由于技術的差異，如今的存儲芯片仍然采用10納米以上工藝，而不是如這些邏輯芯片那樣進展到3納米，如此國內的存儲芯片完全可以利用現(xiàn)有的芯片設備繼續(xù)發(fā)展，實現(xiàn)國產替代。

韓美存儲芯片在聯(lián)手漲價的情況下都未能扭轉虧損的局面，凸顯出中國市場對全球芯片的影響超過他們的預期，如果中國加強國產芯片替代，芯片進口繼續(xù)減少，即使他們擁有技術優(yōu)勢，也可能如存儲芯片行業(yè)那樣持續(xù)虧損。