據(jù)了解北京一家企業(yè)正在研發(fā)一種利用現(xiàn)有光刻機生產(chǎn)5納米工藝的技術(shù)，預計很快就能實現(xiàn)量產(chǎn)，該工藝的核心技術(shù)是自對準四重圖案化（SAQP）技術(shù)，類似技術(shù)曾被臺積電用于7納米，Intel也曾試圖利用該項技術(shù)。

Intel是最早考慮多重曝光技術(shù)的，2014年它就已量產(chǎn)14納米工藝，2016年ASML還沒量產(chǎn)EUV光刻機，Intel就試圖利用DUV光刻機輔以多重曝光技術(shù)，提升晶體管密度，研發(fā)自己的10納米工藝，結(jié)果Intel玩砸了，EUV光刻機量產(chǎn)后，Intel都未量產(chǎn)10納米，又推倒重來采用EUV光刻機生產(chǎn)10納米。

臺積電的7納米工藝就采用了DUV光刻機生產(chǎn)，如此做是為了盡快量產(chǎn)7納米，并確保7納米工藝的量產(chǎn)；當時三星卻率先采用了EUV光刻機生產(chǎn)7納米，結(jié)果是臺積電用DUV光刻機生產(chǎn)的7納米良率更高，在吃透了7納米技術(shù)之后，臺積電再用EUV光刻機生產(chǎn)7納米，提升7納米技術(shù)的性能。

Intel的10納米被認為與臺積電和三星的7納米相當，這也是業(yè)界質(zhì)疑臺積電和三星玩數(shù)字游戲的原因，而臺積電的10納米工藝幾乎是曇花一現(xiàn)，7納米量產(chǎn)后，10納米幾乎被舍棄，芯片企業(yè)要么采用16納米，要么直接用7納米，可以說臺積電的10納米工藝就是一種過渡工藝。

如今這項多重曝光技術(shù)得到中國芯片行業(yè)的青睞，則在于中國芯片行業(yè)難以得到EUV光刻機，選擇多重曝光技術(shù)實屬無奈，但是如果采用這項技術(shù)實現(xiàn)5納米工藝，對于中國芯片行業(yè)來說則是重大突破。

由于眾所周知的因素所影響，中國的手機芯片、AI芯片等等都無法由臺積電以先進的5納米工藝生產(chǎn)，這對中國芯片行業(yè)影響巨大，畢竟更先進的工藝可以帶來更強的性能和更低的功耗，增強芯片競爭力。

中國芯片研發(fā)的SAQP技術(shù)也有弊端，那就是多曝光一次，芯片的良率就會進一步下降，成本上升，不過在當前環(huán)境下，實現(xiàn)先進工藝的量產(chǎn)，對于國產(chǎn)芯片來說那是0與1的關(guān)系，只要能量產(chǎn)，那么對于中國芯片來說就具有重要意義。

當前國產(chǎn)的AI芯片以7納米工藝生產(chǎn)，在性能方面已媲美NVIDIA的A100芯片，可以看出國產(chǎn)芯片在芯片設計技術(shù)方面已達到相當高的水準，而AI芯片價格昂貴，A100的售價達到10萬元人民幣，更高端的H100售價則達到26萬元人民幣，完全可以承受SAQP技術(shù)增加的成本。

在AI芯片市場，中國芯片的突破已顯示了威力，由于美國限制NVIDIA對中國出售高端AI芯片，此前NVIDIA將閹割八成性能的H20芯片定價也超過10萬元人民幣，但是隨著國內(nèi)企業(yè)大舉采用國產(chǎn)AI芯片，NVIDIA迅速將H20降價到7萬元人民幣，可以看出國產(chǎn)AI芯片的可替代性促使NVIDIA放下了身段，否則NVIDIA可能會將H20賣得更貴。

全球芯片行業(yè)其實有七成以上都是14納米及以上成熟工藝芯片，先進工藝芯片的占比并不高，中國芯片已能量產(chǎn)接近7納米水平的工藝，如果再能量產(chǎn)接近5納米的工藝，那么國產(chǎn)芯片將可以替代絕大多數(shù)芯片。

這對于全球芯片行業(yè)影響深遠，畢竟中國采購了全球近七成的芯片，如果國產(chǎn)芯片替代率進一步上漲，那么全球芯片供給過剩的窘境將會加劇，芯片價格會進一步下降，中國進口芯片的成本也會進一步下降，這些降低的成本其實也在變相彌補中國利用SAQP制造先進工藝增加的成本。