三星在2021年宣布，將斥資約170億美元在泰勒建造一座芯片工廠。在美國政策補貼下，三星計劃將美國得州半導體投資總額增加一倍以上，達到約450億美元。

根據(jù)三星與美國政府擬定的協(xié)議，韓國芯片巨頭準備新建兩座“世界領(lǐng)先的邏輯芯片廠”、一座研發(fā)中心和一個先進封裝設(shè)施，同時擴建三星原有的奧斯汀晶圓廠。同時，奧斯汀工廠的擴建將支持全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）工藝技術(shù)的生產(chǎn)，將用于航空航天和國防等關(guān)鍵領(lǐng)域。這項撥款還包括三星與美國國防部合作的承諾。

三星計劃將在那里打造一整個半導體研發(fā)—生產(chǎn)生態(tài)，包括一個致力于比當前工藝節(jié)點“先進一代”的研發(fā)廠、兩座專注于大規(guī)模生產(chǎn)4nm和2nm工藝制程芯片的晶圓廠，還有一座為高帶寬內(nèi)存進行3D封裝，以及具備2.5D芯片封裝能力的先進封裝設(shè)施。

三星投資五年內(nèi)將為美國創(chuàng)造超過17000個建筑產(chǎn)業(yè)職位缺口，和4500多個高薪制造業(yè)工作。 配套措施是美國政府《芯片與科學法案》提供4000萬美元當?shù)貏趧恿ε嘤栙Y金。

有美國高級官員透露，三星投建的兩家先進邏輯芯片工廠，一家計劃于2026年投產(chǎn)，另一家與先進研發(fā)廠都將與2027年啟用。該官員還表示，已經(jīng)有很多供應商表示將遷往美國，與三星半導體產(chǎn)業(yè)集群進行合作。

據(jù)悉，除了協(xié)議中提到的64億美元直接撥款外，三星還計劃申請美國財政部的投資稅收抵免，預期能夠覆蓋合規(guī)資本支出的25%。

目前，英特爾、臺積電、三星三大芯片巨頭都拿到了美國政府的補貼資金，總計215億美元，占到《芯片法案》里的390億美元建廠補貼近55%。

美國商務(wù)部長雷蒙多(Gina Raimondo)表示，拜登政府準備在今年底前用完390億美元《芯片法案》的補助撥款。目前，最大的補貼款已發(fā)放，剩余約160億美元的補貼將在今年底前發(fā)放，未來的獎勵計劃將集中在存儲芯片及對供應商、晶圓及化學品的投資。