近日發(fā)布報告，表示 2024 年 HBM 內存市場主流規(guī)格為 HBM3，不過英偉達即將推出的 B100 或 H200 加速卡將采用 HBM3e 規(guī)格。

消息稱目前 AI 加速卡除了 CoWoS 封裝瓶頸之外，另一個重要限制就是 HBM，這其中的主要原因是 HBM 生產周期較 DDR5 更長，投片到產出、封裝完成需要至少 2 個季度。

英偉達目前主流 H100 加速卡采用 HBM3 內存，主要供應商為 SK 海力士，目前無法滿足整體 AI 市場需求。集邦咨詢表示三星于 2023 年年末，以 1Znm 產品加入英偉達供應鏈，盡管比重仍小，但可視為三星在 HBM 領域的重大突破。

由于三星是 AMD 長期以來最重要的策略供應伙伴，2024 年第一季，三星 HBM3 產品也陸續(xù)通過 AMD MI300 系列驗證，其中包含其 8h 與 12h 產品，故自 2024 年第一季以后，三星 HBM3 產品將會逐漸放量。

而自 2024 年起，市場關注焦點即由 HBM3 轉向 HBM3e，預計下半年將逐季放量，并逐步成為 HBM 市場主流。據 TrendForce 集邦咨詢調查，第一季由 SK 海力士率先通過驗證，美光緊跟其后，并于第一季底開始遞交 HBM3e 量產產品，以搭配計劃在第二季末鋪貨的 NVIDIA H200。

三星由于遞交樣品的時程較其他兩家供應商略晚，預計其 HBM3e 將于第一季末前通過驗證，并于第二季開始正式出貨。