目前在芯片制造領(lǐng)域，光刻工藝是幾乎所有晶圓廠，都采用的工藝，特別是在相對先進一點的制程中，全部是光刻工藝。

而光刻工藝下，光刻機、刻蝕機等必不可少，其中光刻機更是重中之重，因為其門檻高，研發(fā)難度，供應鏈復雜，是所有芯片制造設(shè)備中，價格最高的設(shè)備。

更重要的是，全球僅4家廠商，能生產(chǎn)光刻機，僅ASML這一家廠商，能夠生產(chǎn)用于7nm及以下芯片的EUV光刻機。

ASML捆綁了上下游，更是坐擁無法EUV光刻專利，可以說任何一家光刻機廠，想制造出EUV光刻機來，都非常困難，ASML已經(jīng)將所有上下游綁到自己的戰(zhàn)船上了。

所以其它光刻機廠商，這幾年，基本上都是繞開EUV技術(shù)，尋找另外的技術(shù)來實現(xiàn)EUV光刻機同樣的功能。

其中有幾種技術(shù)，大家也非常熟悉了，分別是NIL納米壓印，BLE電子束技術(shù)，X射線技術(shù)，以及DSA自生長技術(shù)。

這4大技術(shù)，均被認為是最有可能，繞開EUV封鎖，實現(xiàn)7nm及以下技術(shù)的方向。

其中又在NIL納米壓印技術(shù)，進步最為迅速，日本光刻機廠商佳能，幾年前就與SK海力士合作，推出了用于存儲芯片的NIL納米壓印機來，不過都是用于65nm這樣的工藝中。

而去年，佳能發(fā)布了最新的納米壓印半導體設(shè)備FPA-1200NZ2C，稱其可以用于5nm芯片的制造，不必再使用EUV了。

而近日，佳能再表態(tài)，這款納米壓印機FPA-1200NZ2C，在今年會量產(chǎn)，這種納米壓印機的成本只有EUV的10%左右，耗電量也只有EUV 技術(shù)的10%。

同時，采用納米壓印機后，其配套的設(shè)備，相比起EUV配套設(shè)備的成本，要降低40%。

佳能還表示稱，這款設(shè)備后續(xù)會持續(xù)升級，到2026年時，預計可以用于2nm芯片的制造，徹底繞開EUV光刻機方案。

當然，由于這款納米壓印機FPA-1200NZ2C還沒徹底量產(chǎn)，所以不知道佳能是在吹牛，還是真的牛。

同時也有業(yè)內(nèi)人士表示，納米壓印技術(shù)，良率估計達不到EUV，且產(chǎn)能、效率會遠低于EUV方案，所以其實并不太適配大規(guī)模的芯片制造產(chǎn)業(yè)，更適用于小批量的芯片生產(chǎn)。

但不可否認的是，如果佳能的這種技術(shù)全面量產(chǎn)，對EUV光刻機而言，將會是一個巨大的沖擊，是真正的攪局者。

因為禁令，我們目前肯定是買不到它，但至少也讓我們有了新的方向可以借鑒，或許接下來，我們也不一定要死磕EUV技術(shù)，你覺得呢？