2 月 28 日消息，英特爾技術(shù)開發(fā)負(fù)責(zé)人 Ann Kelleher 在周二于圣何塞舉行的 SPIE 光刻會議上提到他們已經(jīng)在 ASML 新型高數(shù)值孔徑 (High NA) EUV 光刻機上實現(xiàn)了“初次曝光”里程碑，而 ASML 也進(jìn)行了證實，并表示接下來將繼續(xù)測試和調(diào)整該系統(tǒng)，使其能夠發(fā)揮其全部性能。

那么問題來了，“初次曝光”是什么意思呢？“初次曝光”即是指光刻系統(tǒng)首次成功將光線圖案投射到晶圓上。這標(biāo)志著該光刻系統(tǒng)已經(jīng)完成了基本功能驗證，可以開始進(jìn)行進(jìn)一步的測試。

該進(jìn)展有何重要意義？高數(shù)值孔徑 EUV 光刻系統(tǒng)被認(rèn)為是下一代芯片制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。它能夠在更小的芯片上蝕刻更精細(xì)的電路，從而使芯片能夠變得更加強大和節(jié)能。

ASML 成功實現(xiàn)“初次曝光”意味著該公司的這項關(guān)鍵技術(shù)取得了重大進(jìn)展。這將有利于加速下一代芯片的研發(fā)進(jìn)程。

ASML 本月初展示了其下一代高數(shù)值孔徑極紫外 (EUV) 光刻機，還透露其 High-NA Twinscan EXE 光刻機的價格約為 3.5 億歐元（備注：當(dāng)前約 27.37 億元人民幣）。

相比之下，現(xiàn)有的 EUV 光刻機價格約為 1.7 億歐元（當(dāng)前約 13.29 億元人民幣），當(dāng)然具體價格要取決于具體型號和配置。

ASML 表示，該公司截至目前已收到包括英特爾和 SK 海力士在內(nèi)數(shù)家公司的“10 到 20”個訂單，并計劃到 2028 年每年生產(chǎn) 20 臺。

就目前已知信息，包括臺積電和三星在內(nèi)的各大先進(jìn)芯片制造商都將在未來五年內(nèi)引入該設(shè)備，英特爾上周表示他們計劃將其用于 Intel 14A 節(jié)點的生產(chǎn)。

ASML 的 High-NA Twinscan EXE 光刻機代表了該公司技術(shù)的巔峰，每臺設(shè)備重達(dá) 150 噸，相當(dāng)于兩架空客 A320 客機，需要 250 個集裝箱運輸，運到客戶手里后還要再由 250 名工程師花費六個月的時間組裝。

現(xiàn)有世界上第一臺高數(shù)值孔徑設(shè)備位于荷蘭埃森?利特菲爾德實驗室，第二臺則正在美國俄勒岡州希爾斯 boro 附近的一家英特爾工廠進(jìn)行組裝。