分析指出2023年中國占全球芯片產(chǎn)能的比例已達到24%，美國占全球的芯片產(chǎn)能則進一步下滑至接近11%，顯示出美國這幾年掏出500億美元以及拉攏臺積電和三星赴美設(shè)廠都未能改變美國在芯片制造行業(yè)的衰落。

美國早幾年就逐漸認識到芯片制造產(chǎn)能轉(zhuǎn)移將對美國芯片的發(fā)展不利，為此美國宣布推出500多億美元芯片補貼計劃，促使美國本土的Intel、美光等加速擴張芯片工廠，同時還施壓臺積電和三星同意赴美設(shè)廠。

然而臺積電和三星赴美設(shè)廠后，卻發(fā)現(xiàn)被美國擺了一道，美國承諾的巨額芯片補貼最終只分別給予臺積電10%、三星13%份額，還不足他們赴美設(shè)廠投資額的一成，而且隨后美國給出的芯片補貼細則更是讓這些芯片制造企業(yè)不愿接受這部分芯片補貼。

另一方面臺積電、三星赴美設(shè)廠后，發(fā)現(xiàn)美國制造芯片的成本增加幅度不是五成，跟隨臺積電赴美設(shè)廠的產(chǎn)業(yè)鏈人士指出在美國制造芯片可能比中國臺灣高出三倍，而且美國還找不到足夠的芯片制造技術(shù)人才，又不許臺積電從中國臺灣輸送太多的芯片制造技術(shù)人才，導(dǎo)致他們的工廠量產(chǎn)進程緩慢。

臺積電和三星的遭遇自然也在美國芯片企業(yè)身上有所反映，Intel最先進的Intel 4工廠就沒有設(shè)立在美國，而是設(shè)立在愛爾蘭，這都導(dǎo)致美國的芯片制造產(chǎn)能回升緩慢，直接導(dǎo)致的結(jié)果就是美國占全球芯片產(chǎn)能的比例繼續(xù)下降。

與美國形成鮮明對比的則是中國，中國從早幾年開始決定大舉發(fā)展芯片制造，在面臨美國阻撓ASML等先進芯片設(shè)備商給中國供應(yīng)先進設(shè)備的情況下，中國決定先發(fā)展成熟工藝，由此大舉建設(shè)數(shù)十座芯片工廠。

2016年中國的芯片產(chǎn)能已超越美國，2020年中國的芯片制造產(chǎn)能占全球的份額已達到16%，而美國占的比例則下滑至12%，顯示出中國大舉擴張芯片制造產(chǎn)能已取得成效，目前中國已建成的芯片工廠達到40多座，還有20多座在建設(shè)中。

在芯片制造產(chǎn)能快速擴張的同時，中國在芯片設(shè)計產(chǎn)業(yè)也是遍地開花，在存儲芯片、模擬芯片、射頻芯片等行業(yè)打破了空白，這些芯片都可以10納米以上工藝生產(chǎn)，而中國已量產(chǎn)的工藝都能滿足要求，這也進一步支持了中國芯片產(chǎn)能的擴張。

隨著中國芯片制造產(chǎn)能的上漲，中國制造的成本優(yōu)勢開始發(fā)揮威力，去年下半年以來中國芯片制造企業(yè)開出極具競爭力的代工價格，由此促使三星、臺聯(lián)電、力積電等被迫跟進降價，可以看出中國大舉擴張芯片制造產(chǎn)能給全球芯片行業(yè)帶來的巨大影響。

美國掏出500多億美元本意是為了擴張芯片制造產(chǎn)能，同時提升工藝水平，然而如今看來都未能實現(xiàn)目的，芯片產(chǎn)能落后于中國，先進工藝水平仍然跟不上臺積電和三星，這讓美國芯片都頗為不好看，凸顯出美國芯片行業(yè)越來越不長進了，而中國芯片則依托于現(xiàn)有的設(shè)備實現(xiàn)了快速升級。