2023年，是存儲芯片廠商們，最近15年以來，最慘的一年。

因為需求不振，供過于求，大家?guī)齑娓咂?，不得不降價求銷量，以降價換訂單，同時各大廠商又競爭激烈，所以價格是跌跌不休，最高時直接降了50%。

在2023年買DRAM內(nèi)存，NAND閃存的人最有深刻體會，1TB的SSD，只要200塊，想以前最便宜的也要400塊左右。

在這樣的背景之下，三星、SK海力士、美光這三大巨頭巨虧，數(shù)據(jù)統(tǒng)計下來，2023年這一年，這三大廠商，在存儲芯片上虧了1500來億元。

很多人感謝國產(chǎn)存儲廠商，認(rèn)為雖然有芯片周期的影響，但國產(chǎn)存儲廠商功不可沒，沒有國產(chǎn)存儲芯片廠商的攪局，怎么可能跌價會這么狠？

事實上也確實如此，各種因素交集在一起，才造成了2023年這個超級大低谷。

那么問題來了，造成這樣大低谷的情況下，國產(chǎn)存儲芯片，究竟發(fā)展得怎么樣了？今天好好聊一下這個話題。

原本國內(nèi)有三大存儲芯片基地的，一是長江存儲主攻NAND閃存，一家是長鑫存儲主攻DRAM內(nèi)存，還有一家是福建晉華，主攻的也是DRAM內(nèi)存。

不過后來因為美光的原因，晉華陷入停滯狀態(tài)，沒什么進(jìn)展，只有長江存儲、長鑫存儲還在繼續(xù)突破。

長江存儲發(fā)明了“晶棧”技術(shù)，從64層到128層，再迅速突破到232層，于三星、美光等巨頭，站到同一起跑線，甚至在232層技術(shù)上，還超過了三星等，成為全球第一家量產(chǎn)232層3D NAND閃存的廠商。

不過后來被美國打壓，美國想要鎖死我們的NAND閃存技術(shù)在128層，對128層以上的設(shè)備、技術(shù)進(jìn)行了封鎖。

所以目前長江存儲只有少量232層閃存生產(chǎn)線，還是禁令之前就建好的，目前主要還是生產(chǎn)128層技術(shù)，近日有媒體報道稱，長江存儲又推出了一個120層技術(shù)，但性能不比232層差，真假未知，但說明又有了突破。

從市場和產(chǎn)能來看，長江存儲目前的市場約占全球5%左右，產(chǎn)能大約也在6%左右，但在持續(xù)擴產(chǎn)，未來的計劃是達(dá)到全球15-20%的產(chǎn)能。

再看長鑫存儲，在DDR類型來看，長鑫目前已經(jīng)生產(chǎn)出了DDR5內(nèi)存，也算是處于頂尖水平了。

不過從工藝制程來看，還是落后三星、SK海力士這些一些，三星等實際工藝制程達(dá)到了14nm左右，而長鑫之前一直是21nm、19nm。

同時美國之前針對中國的DRAM內(nèi)存，也出臺了禁令，想要卡死在18nm，及任何18nm及以下的設(shè)備/技術(shù)，不允許被出口。

但近日，有媒體報道稱，長鑫存儲開始批量生產(chǎn)18.5nm工藝的DRAM芯片，月產(chǎn)量高達(dá)100000片晶圓。

同時長鑫啟動二期建設(shè)，2024年底完成，預(yù)計達(dá)到1.4萬片每月，產(chǎn)能占全球DRAM總產(chǎn)能的10%。

可見，隨著DRAM內(nèi)存、NAND閃存方面，我們都受到打擊，但廠商們一直在努力，技術(shù)、產(chǎn)能上均在不斷突破，競爭力也在逐步提升。

這也是為何2023年，國內(nèi)存儲芯片廠商們降價這么狠的原因，因為競爭者多了，中國廠商更有成本優(yōu)勢，所以不得不降價。

希望接下來，國產(chǎn)存儲芯片廠商們，能夠不斷的突破，提高產(chǎn)能，提高市占率，那么未來這些產(chǎn)品，想漲價都漲不起來了，消費者真正得到實惠。